解析三星电子在存储器领域成功的原因

解析三星电子在存储器领域成功的原因

　　三星电子成功的原因初探

　　1980年代后韩国政府改变半导体产业政策,转向扶持DRAM,此时三星半导体开始获得政府支持。当时韩国政府组织“官民一体”的DRAM共同开发项目,也是通过政府的投资来发展DRAM产业。

　　进入DRAM市场初期,三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买64K DRAM技术，之后自已开始开发256KDRAM。为了提高技术,这时三星半导体用高薪聘请在美国半导体公司工作过的韩国人，工资比总裁高4-5倍。

　　另外，三星在美国建立研发中心，并配置相同的生产设备，让这些高薪人员来培训本土的工程师。然后经过培训后的工程师再回到本部，日以继夜地工作，很快三星在DRAM方面超过日本。

　　再有一点非常关键,在1993年全球半导体市场转弱,但是三星采用反周期的投资策略,加大投资DRAM建8英寸生产线。

　　1984年9月三星推出64K DRAM,但是由于DRAM价格迅速下滑,从1984年初的4美元/片,下降到1985年的30美分/片。而此时三星的生产成本是1.3美元/片。到1986年底,三星半导体累积亏损3亿美元，股权资本完全亏空。

　　由于DRAM市场不景气,Intel等美国公司退出存储器市场,日本公司也缩减投资规模和生产能力。由于三星的反周期投资，继续扩大产能,并开发更大容量的DRAM。当1987年产业出现转机时，加上美国政府发起对于日本半导体业的反倾销诉讼案,美国政府和日本企业达成自动出口限制协议。由于日本企业减少向美国出口,导致DRAM价格回升,三星开始首次实现盈利。

　　三星是从1983年开始投资半导体，搞存储器。那时韩国的半导体远没有目前的先进,有人认为韩国有劳动力成本低的优势。实际上当时在工厂中作操作的人员, 大部分是农村来的妇女,文化程度并不高，但是素质很好,她们的工作十分认真与精细。

　　三星经过若干年后能成为全球存储器业的领先者,主要是在韩国政府倾国力的支持下加上强有力的领导集体,包括三星的前董事长李健熙等,能献身于事业。除此之外，企业上下有股气势,一定要赶超日本的决心和信念,再加上有一批由美国培训回来的第一流工程师，由于它们奋发图强的加速发展半导体工艺,才取得如此辉煌的成绩。

　　还有一个原因，如东芝与其它的日本公司，它们的研发中心与制造基地分别位于不同的地方,相距甚远。而三星电子的研发中心与制造部分在同一地方，既节省时间与成本，又便于研发与制造之间相互的沟通。

　　三星电子还具有另外一个优势是有自己的终端电子产品。不仅有半导体,还有面板,电视等。这样垂直式的产业链有利于整合。既有利于以最快速度反映市场的需求,也有利于终端产品与芯片各环节之间的协调。

　　后语

　　三星电子在存储器方面的成功,有外在因素,如韩国政府的大力支持,以及美国对于日本半导体的反倾销策略等,显然三星电子内在因素起着决定性的作用。

　　尤其是三星电子有一股气势,一定要成功超过日本,上下齐心合力,人的因素起了关键作用。众所周知，DRAM的制造决定于成品率与产品成本，所以工艺生产线上每一步操作的成品率起着十分重要作用。再加上它的正确策略，在美国搞研发中心，采用与韩国制造同样的设备，以及用高薪聘请在美作存储器的韩国工程师，并在美国培训人材后，再回到韩国工作。另外在全球存储器周期性下降时，它采用反周期的加大投资，积极扩充产能等。

　　内在与外在的因素综合在一起,推动了三星电子的存储器业成功。同样分析天时，地利与人和在中国似乎都具备了条件，好象仅是某些地方差了一点点。因此未来中国在突破艰难的存储器业制造中必须十分清醒，仅拥有大市场与足够的投资还不一定能获得成功，需要人材的配合，并要有一股气势与勇气，以及技术上的真正过硬。全球存储器业总是周期性的起伏，只有坚持到底，不惧怕暂时的亏损，才有可能成功。现在的盲点是不知道我们的持续亏损要多久?能否有决心坚持下去，因为通常只有国家意志才有坚持下去的可能性。

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