10nm制程骁龙835发布 能耗更低 全面支持VR
1月4日消息,高通(Qualcomm Incorporated)今日宣布,其子公司Qualcomm Technologies, Inc.(QTI)已推出最新的旗舰移动平台——集成X16 LTE的Qualcomm骁龙835处理器。
骁龙835是首款采用10纳米FinFET工艺实现商用制造的移动处理器,得益于更先进的制程工艺,骁龙835较上一代旗舰芯片的封装尺寸减小35%,同时实现了25%的功耗降低。此外,骁龙835还配备QC4快充,较QC3.0充电速度提升20%,效率提升30%,即是说充电更快,发热更低。
功耗降低的同时,骁龙835同样实现了性能的提升。该处理器采用了基于Cortex的半定制化Kryo 280八核架构,类似big.LITTLE,有峰值主频达2.45GHz的4颗性能核心,以及峰值主频1.9GHz的4颗效率核心,协同Adreno 540 GPU提供充裕的运算性能。另外,骁龙835还通过HDR10以及3D音频的技术支持来实现更加沉浸式的移动端VR体验。
骁龙835处理器集成X16千兆级LTE调制解调器,同时还集成2x2 802.11ac Wave-2和支持多千兆比特Wi-Fi的802.11ad,具体可由终端制造方自行配置。旨在面向VR/AR、无限云存储、丰富的娱乐和即时App应用领域,支持新一代的联网体验。
影像方面,骁龙835搭载14位Qualcomm Spectra 180双ISP,最高支持3200万像素单摄像头或双1600万像素摄像头,支持混合自动对焦(激光/对比/结构光/双相位检测自动对焦)以及光学变焦、防抖。实现4K 30fps超高清视频拍摄以及对4K 60fps的超高清视频的播放支持。
骁龙835现已投入生产,目前10nm的芯片代工是在与三星合作,未来有可能会涉及到台积电。骁龙835预计将于2017年上半年搭载于包括Android和能够支持传统的Win32应用的Windows 10系统商用终端中出货。
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