10nm制程骁龙835发布 能耗更低 全面支持VR

　　1月4日消息，高通(Qualcomm Incorporated)今日宣布，其子公司Qualcomm Technologies, Inc.(QTI)已推出最新的旗舰移动平台——集成X16 LTE的Qualcomm骁龙835处理器。

　　骁龙835是首款采用10纳米FinFET工艺实现商用制造的移动处理器，得益于更先进的制程工艺，骁龙835较上一代旗舰芯片的封装尺寸减小35%，同时实现了25%的功耗降低。此外，骁龙835还配备QC4快充，较QC3.0充电速度提升20%，效率提升30%，即是说充电更快，发热更低。

　　功耗降低的同时，骁龙835同样实现了性能的提升。该处理器采用了基于Cortex的半定制化Kryo 280八核架构，类似big.LITTLE，有峰值主频达2.45GHz的4颗性能核心，以及峰值主频1.9GHz的4颗效率核心，协同Adreno 540 GPU提供充裕的运算性能。另外，骁龙835还通过HDR10以及3D音频的技术支持来实现更加沉浸式的移动端VR体验。

　　骁龙835处理器集成X16千兆级LTE调制解调器，同时还集成2x2 802.11ac Wave-2和支持多千兆比特Wi-Fi的802.11ad，具体可由终端制造方自行配置。旨在面向VR/AR、无限云存储、丰富的娱乐和即时App应用领域，支持新一代的联网体验。

　　影像方面，骁龙835搭载14位Qualcomm Spectra 180双ISP，最高支持3200万像素单摄像头或双1600万像素摄像头，支持混合自动对焦(激光/对比/结构光/双相位检测自动对焦)以及光学变焦、防抖。实现4K 30fps超高清视频拍摄以及对4K 60fps的超高清视频的播放支持。

　　骁龙835现已投入生产，目前10nm的芯片代工是在与三星合作，未来有可能会涉及到台积电。骁龙835预计将于2017年上半年搭载于包括Android和能够支持传统的Win32应用的Windows 10系统商用终端中出货。

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