西数开始生产64层512Gb 3D NAND 闪存芯片

　　西部数据(WD)7 日宣布其已开始生产业内最密集的3D NAND 闪存芯片，堆叠达到了64 层。当然，每单元存数比特位数也从2 增加到了3(说白了就是从 MLC 变成了 TLC)。

　　西数及其合作伙伴东芝将其“垂直3D 堆叠技术”称作Bit Cost Scaling(简称 BiCS)，而西数方面也已开产首批64 层512 Gb 的3D NAND 芯片。

　　其生产过程与摩天大楼的建造类似，能够在较小的地面上组合出密集的结构，使得每Gb 的成本效益更加明显。此外，这项技术还增加了数据可靠性、以及固态存储速度。

　　3D NAND 让制造商们可以克服NAND 闪存的物理限制，因为随着晶体管尺寸接近10nm，其进一步收缩的能力将迅速消散。

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