西数开始生产64层512Gb 3D NAND 闪存芯片

西数开始生产64层512Gb 3D NAND 闪存芯片

　　西部数据(WD)7 日宣布其已开始生产业内最密集的3D NAND 闪存芯片，堆叠达到了64 层。当然，每单元存数比特位数也从2 增加到了3(说白了就是从 MLC 变成了 TLC)。

　　西数及其合作伙伴东芝将其“垂直3D 堆叠技术”称作Bit Cost Scaling(简称 BiCS)，而西数方面也已开产首批64 层512 Gb 的3D NAND 芯片。

　　其生产过程与摩天大楼的建造类似，能够在较小的地面上组合出密集的结构，使得每Gb 的成本效益更加明显。此外，这项技术还增加了数据可靠性、以及固态存储速度。

　　3D NAND 让制造商们可以克服NAND 闪存的物理限制，因为随着晶体管尺寸接近10nm，其进一步收缩的能力将迅速消散。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码