3D NAND 64层是2017主流技术 32层是自研起点

3D NAND 64层是2017主流技术 32层是自研起点

　　64层是2017主流技术 多方量产缓解供货压力

　　市调机构IHS预期，企业用SSD产品中采用3D NAND的比重，将从2015年10%攀升到2018年的77%，同期消费者用产品也将从3%扩大到60%。3D NAND成主流应用的趋势不可逆，国际巨头争相角逐已成必然。

　　市调机构 DRAMeXchange 统计，三星2016年第三季NAND内存营收来到37.44亿美元，市占率较前季进步0.3个百分点至 36.6%。东芝以19.6%位居第二，Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。市占率上看，三星依然是领头羊，东芝紧随其后，2017年这些数据会怎样变化，值得期待。

　　从技术上看，三星、海力士、东芝、英特尔、美光等各家采用的技术架构并不相同，三星用V-NAND，东芝和闪迪用BiCS，三者均属于Charge Trap Flash(CTF)技术，而英特尔是Floating Gate(FG)技术，这些技术各有优劣。

集邦科技记忆体储存事业处协理杨文得

　　集邦科技记忆体储存事业处协理杨文得表示，两个技术路线刚好相反，英特尔为主导的FG技术一开始比较简单，因为是沿2D技术而来，但随着NAND堆叠层数的增多，难度会越来越大;而三星和东芝主导的CTF技术则刚好相反，一开始比较有难度，而一旦突破，在3D的成熟堆叠上面会比FG更加容易。

　　在堆叠层数方面，2016年主要以三星的48层为主，2017年，三星、东芝和美光会全面开向64层，除了三星64层已经成熟外，东芝64层NAND会在Q2成熟，美光大约在Q3成熟，而海力士计划于2017上半年推出72层NAND芯片设计，下半年开始量产。可以预见，一旦这些巨头产能开始释放，整个行业的缺货就会有所缓解。

深圳市江波龙电子有限公司SSD产品总监钟孟辰

　　除此之外，包括江波龙在内的3D NAND模组厂商的加入也会缓解市场的紧张压力。“技术上我们已经在全力往3D转，2016年Q1我们就在准备3D的产品了，一开始是32层和36层，目前正在研发的是48层和64层，今年主流厂商都会上64层甚至72层了。”深圳市江波龙电子有限公司SSD产品总监钟孟辰称，当然，由于2016年业界看好的32层良率表现低于预期导致市场缺货，因此2017年业界对64层的良率预估则更为谨慎。

　　在容量方面，2D的NAND只有两家做到14nm，单个die的容量能做到128Gb(16G)，已经到极限了，再往下良率会难以控制，因此2D 128Gb的eMMC/eMCP价格非常贵，而到3D环节，单个die的容量可以做到32G、64G甚至更高，在良率保证的情况下，容量上去了，成本自然降低。据透露，2017年NAND容量会以128G和256G为主，3D NAND的使用比例会大力提升。

　　钟孟辰表示，以消费类SSD来看，2017年3D能超过40%，2018年能超过70%，手机、平板等嵌入式eMMC及eMCP 2017年会超过10%，2018年会超过30%。他告诉记者，SSD的容量更大，所以对3D的需求比手机更快。

　　整体来看，三星的技术实力依然最强，三星从2013年Q3开始就率先宣布该技术成功投产，从当初的24层到2016年第四代的64层，领先东芝、美光、海力士等约两年时间。受访者均表示，2017年整个3D NAND的市场格局，主要看东芝和美光(I/M)的产出及良率，另外海力士48层已经量产，72层也值得关注。堆叠层数上面，2017年3D NAND的焦点仍在64层上面，不过，随着各家技术的成熟及产能释放，三星一家独大的局面会有所改变。