3D NAND 64层是2017主流技术 32层是自研起点

来源:华强电子网 作者:王琼芳 时间:2017-03-23 10:15

东芝 美光 海力士 长江存储 东芝 美光 海力士 长江存储

  自主研发迫在眉睫 32层NAND是起点

  从全球的存储竞争格局来看,主动权主要掌握在韩国和台湾厂商的手中,中国大陆可以说是一片空白,这就导致在每次DRAM和NAND市场供需波动之际,中国大陆厂商常常处于被动地位。

  另外,中国大陆对存储产品的消耗量逐年增加。据赛迪顾问提供的数据称,2014年中国存储芯片市场规模达到2465.5亿元,占国内芯片市场比重的23.7%,其比重超过CPU、手机基带芯片。而中国所使用的存储占全球的比例也在逐步上升,2014年中国大陆DRAM消耗量已达102亿美元,约占全球市场的20%,NAND Flash消耗量也接近全球市场的25%。基于此,政府花大力气筹建自己的存储产线,已经迫在眉睫。

  2016年,国家集成电路产业投资基金牵头在武汉新芯(XMC)的基础上成立长江存储研发3D NAND Flash技术,释放大陆厂商自主生产存储器的信号。

  就在1月14日,在首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会暨ICTech Summit 2017上,长江存储CEO杨士宁对媒体表示,存储器市场亟需打破现状,对于长江存储来说,现在是一个“最好”的时间点,有许多美国企业找上门来,希望与长江存储合作为市场带来更多选择。

  杨文得认为,大陆自主开发3D NAND的难点在于技术差距太大,且专利瓶颈很难去突破。在专利方面,若未获得他家的技术授权难度很高。他预计,大陆生产的3D NAND产品可能在2018年下半年或2019年推出。

  那么,如何弥补技术上的差距?杨文得表示,国家基金花大力气来做肯定会有所进展,追赶的关键在于,产品何时做出来,如何学习和改进并缩短跟巨头的差距这很关键。从目前来看,差距还是蛮大的,不过政府应该有它的策略,比如一开始通过政府采购和政策补贴之类的策略打开市场。

  钟孟辰认为,国家拿出几百亿美金投资半导体存储行业,希望产品很快工业化量产,从目前来看,两到三年内发展壮大有些困难,一是设计研发上的差距,跟三星、东芝等巨头比起来落后五六年;二是加工制造等配套不完善,这非常考量国家综合工业实力;三是国外对中国的设备有出口限制,这也是需要突破的地方;最后是人才,专业技术人才能否跟上也很关键。目前,包括长江存储在内的大陆半导体厂商,都在全球搜罗人才。

  “政府应该积极布局周边产业链,快速做出产品投入市场销售,届时江波龙也会参与到开发应用中去。”谈及产品竞争力的问题,钟孟辰也表示,可以采取政府采购或政策补贴的方式先打开市场,同时要鼓励外面资本的注入,逐步缩短与国际巨头的差距。

  在发展国产3D NAND芯片策略上,国家集成电路大基金的掌舵人丁文武先生给出了四点建议,第一,加强自主研发创新;第二,要有开放心态,加强国际合;第三,在加强人才培养的同时积极引进人才;第四,持续扩大投资。“存储器光靠一条生产线不够,10万片不是一个经济规模,30万片才刚达到经济规模,后面还要扩展更多的量。”

  杨士宁指出,从NAND闪存市场和技术动态来看,全球存储器公司都在3D NAND产品的积极准备中,2018年将会有更多64层3D NAND的产品量产上市,大家都有设备折旧的压力在,长江存储并不担心,只要全力解决技术问题即可。他强调,长江存储的目标是在折旧期内实现盈利。目前长江存储32层3D NAND产品进展顺利,电气特性等各项指标非常好。

  整体来看,3D取代2D已经成为必然趋势,更大容量、更高性能、更低成本的3D NAND Flash将成为未来的主流产品。从应用端来看,不论是大数据中心、OEM厂商、模组厂商还是渠道商,都将受益于3D NAND产品升级带来的利好。从供货及价格上来看,2017年NAND Flash还将延续2016年的缺货及涨价趋势,不少中小型的终端客户可能会被持续的缺货压力而拖垮。不过,随着东芝、美光、海力士等巨头逐渐释放3D产能,整个缺货现象有望在Q4得到缓解。最后,大陆3D NAND的发展动态十分值得关注,相信不久的将来,伴随着大陆3D NAND加入全球存储战局,整个NAND竞争格局会被重写。



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