3D NAND 64层是2017主流技术 32层是自研起点

3D NAND 64层是2017主流技术 32层是自研起点

　　自主研发迫在眉睫 32层NAND是起点

　　从全球的存储竞争格局来看，主动权主要掌握在韩国和台湾厂商的手中，中国大陆可以说是一片空白，这就导致在每次DRAM和NAND市场供需波动之际，中国大陆厂商常常处于被动地位。

　　另外，中国大陆对存储产品的消耗量逐年增加。据赛迪顾问提供的数据称，2014年中国存储芯片市场规模达到2465.5亿元，占国内芯片市场比重的23.7%，其比重超过CPU、手机基带芯片。而中国所使用的存储占全球的比例也在逐步上升，2014年中国大陆DRAM消耗量已达102亿美元，约占全球市场的20%，NAND Flash消耗量也接近全球市场的25%。基于此，政府花大力气筹建自己的存储产线，已经迫在眉睫。

　　2016年，国家集成电路产业投资基金牵头在武汉新芯(XMC)的基础上成立长江存储研发3D NAND Flash技术，释放大陆厂商自主生产存储器的信号。

　　就在1月14日，在首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会暨ICTech Summit 2017上，长江存储CEO杨士宁对媒体表示，存储器市场亟需打破现状，对于长江存储来说，现在是一个“最好”的时间点，有许多美国企业找上门来，希望与长江存储合作为市场带来更多选择。

　　杨文得认为，大陆自主开发3D NAND的难点在于技术差距太大，且专利瓶颈很难去突破。在专利方面，若未获得他家的技术授权难度很高。他预计，大陆生产的3D NAND产品可能在2018年下半年或2019年推出。

　　那么，如何弥补技术上的差距?杨文得表示，国家基金花大力气来做肯定会有所进展，追赶的关键在于，产品何时做出来，如何学习和改进并缩短跟巨头的差距这很关键。从目前来看，差距还是蛮大的，不过政府应该有它的策略，比如一开始通过政府采购和政策补贴之类的策略打开市场。

　　钟孟辰认为，国家拿出几百亿美金投资半导体存储行业，希望产品很快工业化量产，从目前来看，两到三年内发展壮大有些困难，一是设计研发上的差距，跟三星、东芝等巨头比起来落后五六年;二是加工制造等配套不完善，这非常考量国家综合工业实力;三是国外对中国的设备有出口限制，这也是需要突破的地方;最后是人才，专业技术人才能否跟上也很关键。目前，包括长江存储在内的大陆半导体厂商，都在全球搜罗人才。

　　“政府应该积极布局周边产业链，快速做出产品投入市场销售，届时江波龙也会参与到开发应用中去。”谈及产品竞争力的问题，钟孟辰也表示，可以采取政府采购或政策补贴的方式先打开市场，同时要鼓励外面资本的注入，逐步缩短与国际巨头的差距。

　　在发展国产3D NAND芯片策略上，国家集成电路大基金的掌舵人丁文武先生给出了四点建议，第一，加强自主研发创新;第二，要有开放心态，加强国际合;第三，在加强人才培养的同时积极引进人才;第四，持续扩大投资。“存储器光靠一条生产线不够，10万片不是一个经济规模，30万片才刚达到经济规模，后面还要扩展更多的量。”

　　杨士宁指出，从NAND闪存市场和技术动态来看，全球存储器公司都在3D NAND产品的积极准备中，2018年将会有更多64层3D NAND的产品量产上市，大家都有设备折旧的压力在，长江存储并不担心，只要全力解决技术问题即可。他强调，长江存储的目标是在折旧期内实现盈利。目前长江存储32层3D NAND产品进展顺利，电气特性等各项指标非常好。

　　整体来看，3D取代2D已经成为必然趋势，更大容量、更高性能、更低成本的3D NAND Flash将成为未来的主流产品。从应用端来看，不论是大数据中心、OEM厂商、模组厂商还是渠道商，都将受益于3D NAND产品升级带来的利好。从供货及价格上来看，2017年NAND Flash还将延续2016年的缺货及涨价趋势，不少中小型的终端客户可能会被持续的缺货压力而拖垮。不过，随着东芝、美光、海力士等巨头逐渐释放3D产能，整个缺货现象有望在Q4得到缓解。最后，大陆3D NAND的发展动态十分值得关注，相信不久的将来，伴随着大陆3D NAND加入全球存储战局，整个NAND竞争格局会被重写。

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