IDT推出具有宽频范围、低失真以及低插入损耗的 SPDT 反射式射频开关系列

IDT推出具有宽频范围、低失真以及低插入损耗的 SPDT 反射式射频开关系列

??新器件支持 5MHz 至 10GHz 的频率范围，集成在 2mm x 2mm 的极小封装中，具备出色的射频性能??

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加利福尼亚州圣何塞?，2017 年5月4 日—Integrated Device Technology, Inc. (IDT) (NASDAQ:IDTI) 于今日发布在 2mm x 2mm 紧?凑封装中实现高性能单刀双掷反射式 (SPDTR) 射频开关的新系列产品。F2972 和 F2976 支持的频率范围为 5MH?z 至 10GHz，具有低插入损耗、高隔离度、低失真和高功率容量等特点，处于业界领先地位。

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IDT??器件可用于 50 或 75 ohm 的系统中，具有广泛的市场和应用，其中包括 BTS 无线通信设备、DOCSIS 3.1 CATV 应用、无人机以及通用消费产品。

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F297?2 和 F2976的射频性能和输出引脚相似，但每个器件又具有独特的管脚。其中F2972 在绿色环保、低功耗应用场景下提供使能/去使能管脚。F2976 有一个逻辑选择管脚，允许用户操作开关控制逻辑，通过单条控制线实现多个开关的控制，每个开关需要处于不?同的状态。

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“?F2972 和 F2976 扩展了 IDT 的射频产品组合， 2x2mm 封装集成反射式开关。这些器件不仅尺寸小，而且还具有超宽带宽和高差异化的射频性能，”IDT 射频分部总经理 Duncan Pilgrim 谈到。”由于这些器件应用范围广，凭借其领先的射频性能，我们能够帮助客户降低其解决方案成本。

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IDT 新射频器件?特点：

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·在2000MHz 下提供0.36dB 的插入损耗和 42dB 的隔离度

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·高线性的特点使?其应用广泛。

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oIIP2?/IIP3：120/77 dBm

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oH2/H3：?-100/-120 dBc

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oCSO/?CTB：>100/>100 dBc

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·(F2972) 的使能管脚?有利于节省功耗

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·(F2976)提供最大控?制逻辑灵活性

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·硅基半导体?技术

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·3.3/5V 工作电压?范围和 1.8/3.3V 控制电压范围

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支持 -40 至 105C ?温度范围

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关于? IDT

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?Integrated Device Technology, Inc. 开发用于优化客户应用的系统级解决方案。IDT 在射频、高性能定时、存储器接口、实时互连、无线电能和智能传感器方面的市场导向型产品，是该公司为通信、计算、消费、汽车和工业领域开发的一系列广泛而全面的混合信号解决方案的一部分。IDT 总部位于加利福尼亚州圣何塞，并在全世界拥有设计、生产、销售设施和经销合作伙伴。IDT 股票在 NASDAQ Global Select Stock Market?（纳斯达克全球精选市场）上市交易，其股票代码为“IDTI”。如需了解更多关于 IDT 的信息，请访问www、IDT、com。请在Facebook、LinkedIn、Twitter、YouTube 和 Google+ 中关注 IDT。

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