国际第三代半导体论坛征文通知-华强资讯-华强电子网

国际第三代半导体论坛征文通知

来源：华强电子网 作者：时间：2017-05-24 10:59

　　第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。本分会将重点兲注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的兲键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。分会面向全球广泛征集优秀研究成果，并将邀请多名国际知名与家参加本次会议，力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新迚展。

　　征文方向：

　　AlN和其他紫外光电器件用新型衬底材料

　　紫外发光与探测材料的设计和外延生长

　　高Al组分AlGaN的p型掺杂

　　高效紫外发光器件

　　高灵敏度紫外探测与成像器件

　　紫外光源封装与模组的光提取、热管理及可靠性

　　紫外光源与探测器应用新进展

　　分会主席：

　　沈波--北京大学理学部副主任、教授

　　张韵--中科院半导体研究所所长助理、研究员

　　分会委员：

　　刘国旭--易美芯光（北京）科技有限公司执行副总裁兼首席技术官

　　陆海--南京大学教授

? S6: 超宽禁带半导体及其他新型半导体材料分会??

　　以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。本分会着重研讨超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，旨在搭建产业、学术、资本的高质量交流平台，共同探讨超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。

　　分会将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现超宽带半导体及其它新型宽禁带半导体材料与器件研究应用的最新迚展。

征文方向：

　　超宽禁带半导体材料关键设备制造技术

　　超宽禁带半导体材料制备技术及其物性研究

　　超宽禁带半导体材料电力电子器件技术

　　超宽禁带半导体材料光电子器件技术

　　其他新型半导体材料物性研究与应用技术

　　分会主席：

　　刘明--中科院微电子所教授、中国科学院院士

　　张荣--山东大学校长、南京大学教授

　　分会委员：

　　陶绪堂--山东大学晶体材料国家重点实验室主任

　　王宏兴--西安交通大学教授

　　徐军--同济大学教授

? SSLCHINA2017方向（同期会议）?

　　P201-材料与装备技术

　　P202-芯片、封装与模组技术

　　P203-可靠性与热管理技术

　　P204-驱动、智能与控制技术

　　P205-生物农业光照技术

　　P206-光品质与健康医疗照明技术

　　P207-新型显示与照明技术

征文流程

　　1.作者提交论文扩展摘要（Extended Abstract）。

　　2.通知作者投稿录用方式：口头报告、POSTER与入刊会议论文集等。

　　3.作者依据组委会的录用通知准备材料：

　　1)口头报告：作者需准备论文与演示文件（PPT/PDF）；2)POSTER：作者需准备论文与POSTER文件（组委会将对POSTER进行编号并告知作者。作者携带制作好的POSTER至会议举办地点并按照编号在POSTER展示区域自行张贴）3)入刊会议论文集：作者需准备论文。作者需要根据论文模板准备论文全文。

　　注：

　1)官方网站（http://www、ifws、org、cn/en/paper/）提供模板下载，请作者务必按照相应模板和时间要求准备材料，以便顺利通过论文审核。

　　2)优质论文会被遴选在IEEE Xplore Digital Library发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。

　　征文要求

　　1.基本要求：

　　1) 尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文。

　　2) 主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位。

　　2.摘要要求：

　　投稿者需按照组委会提供的模板编写扩展摘要。

　　3.全文要求：

　　按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过4页。

　　4.语言要求：

　　1) 作者须提交文体规范的英文摘要/POSTER/论文；2) 演讲语言可以使用中文或英文，但必须用英文演示（PPT或PDF文档）。

　注：含有商业性宣传内容的论文，不予安排在论坛演讲。

　　征文摘要模板及征文通知下载：
IFWS2017 摘要模板-Abstract Template.doc

IEEE版权协议书-IEEE concent form.doc

论文模版-Paper Template.doc

论文样板-Paper Sample.pdf

重要期限及提交方式

　　1.论文摘要提交截止日期：2017年6月15日

　　2.论文摘要录用通知：2017年7月3日

　　3.论文全文提交截止日期：2017年9月15日

　　4.论文全文录用通知：2017年9月30日

　　5.口头报告演示文件（PPT或PDF）与POSTER电子版提交截止日：2017年10月15日

　　投稿请联系：

　　白璐（Lu BAI)

　　电话：010-82387600-602

　　邮箱：papersubmission@china-led、net

上一篇：万嘉玩转渠道整合，全新商业模式再行天下

下一篇：A.O.史密斯助力培养中国制造未来之星总裁丁威成首席导师

资讯排行榜

每日排行
每周排行
每月排行

国际第三代半导体论坛征文通知

国际第三代半导体论坛征文通知

资讯排行榜

华强资讯微信号