坏消息，未来五年NAND Flash仍供不应求

坏消息，未来五年NAND Flash仍供不应求

　　FLASH控制芯片商群联(今(27)日召开股东临时会，补选一席董事，由东芝记忆体株式会社(TMC)取得。群联董事长潘健成指出，未来5年NAND FLASH仍将供不应求，群联与东芝的合作关系将更为紧密，未来3年群联将持续扩大版图，对手要追赶也将会相当不容易。

　　群联由于策略伙伴日商东芝株式会社(Toshiba Corporation) 所属的台湾东芝先进半导体股份有限公司，因集团组织调整，因此今年8 月1 日辞任群联董事，依规定召开股东临时会补选。

　　潘健成今天主持群联股东临时会，并向股东说明与东芝合作关系。潘健成表示，TMC 主导负责Toshiba Corporation 全球半导体事业，基于Toshiba Corporation 将群联股权完成转移给TMC，未来也将持续与群联维持紧密策略合作关系，因此群联董事补选，董事会便向股东会提名TMC为董事候选人。

　　展望未来，潘健成说，5 年前很难想像手机搭载的FLASH 容量会到256GB，今天苹果最新机种容量已达此水准，未来5 年，手机记忆体可望达1TB 容量，快闪记忆体容量需求正以倍增速度持续成长，不过制造供给端成长受限扩厂时间及良率技术门槛，短期无法跟上，因此未来5 年NAND Flash 产业仍供不应求。

　　潘健成强调，NAND Flash 产业前景备受期待，但可投资企业标的不多，综观全球六大国际原厂(制造NAND Flash) 中，只有东芝记忆体(TMC) 是最直接、最纯粹的国际大厂，其他国际大厂包括三星(Samsung)、美光(Micron)、SK 海力士(SK Hynix)、威腾(WD)、英特尔(Intel) 等，皆有其他非快闪记忆体业务，也因此东芝记忆体的入股案，成为全球瞩目焦点。

　　潘健成强调，群联对东芝是极具策略发展的伙伴，群联是全球六大国际原厂之外，最大的快闪记忆体合作伙伴，产业地位在群联之后的小厂，因为面临产业整体长期供需失衡，正面临严峻研发投资、留才及营运考验，以此来看，未来3 年，群联持续技术演进与扩大市场版图，对手将逐步消失，而新对手想追赶进度则相当不容易。

　　他强调，也因此，东芝进行组织调整，但仍保有群联投资部位，群联与东芝不但可透过相互投资共同作大市场，也能透过技术互补合作强化技术，现在与未来关系将比过去15年更紧密。

2018年全球3D-NAND 产出占比逾七成，三星技术与规模领先群雄

　　根据TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出，2017 年NAND Flash 产业需求受智慧型手机搭载容量与伺服器需求的带动，加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下，供不应求的状况自2016年第3 季起已持续六季;2018 年NAND Flash 供给将增加42.9%，需求端将成长37.7%

　　2017 年在非三星阵营3D-NAND 制程转换不顺的影响下，3D-NAND 产出占NAND Flash 整体产业比重约50%，2018 年随着SK 海力士、东芝/威腾、美光/英特尔阵营的3D -NAND 比重都提升的情况下，2018 年3D-NAND 的产出占比将突破70% 大关。

　　从各厂制程进度来看，三星64 层3D-NAND 自今年第3 季已进入量产阶段且今年第4 季3D 产能比重将突破50%，明年将提升到60%~70% 水准。SK 海力士今年第4 季3D-NAND 产能占比约为总产能的20%~30% 水准，以48 层3D-NAND 为主，但明年将会专注于扩充72 层3D-NAND 产能，3D- NAND 产能比重在2018 年第四季也会来到40%~50%。

　　东芝/威腾阵营今年上半年主流制程为48 层3D-NAND，预期今年第4 季3D-NAND 的占比将会占东芝/威腾阵营整体产能约30% 水准，2018 年第4 季目标突破50%。在产能规画上，新的半导体厂房Fab6 在2017 年3 月已开始动工兴建， 预计2019 年才会开始量产最新3D-NAND 产品。值得注意的是，由于东芝与威腾电子目前对于新厂的合作态度与先前不同，所以日后可能仍有变数。

　　美光/英特尔阵营今年上半年32 层3D-NAND 产出已有稳定的经济规模，并在今年第3 季起开始量产64 层3D-NAND，目前良率已达量产水准，今年第4 季3D-NAND 产能比重有机会到40%~50%。2018 年随着英特尔将扩充中国大连厂第二期产能，其3D-NAND 比重将于明年第4 季提升到60%~70% 水准。

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