长江存储首台光刻机抵达武汉，可造14nm 3D NAND

长江存储首台光刻机抵达武汉，可造14nm 3D NAND

　　根据最新的消息显示，日前长江存储也迎来了自己的首台光刻机，5月19日，光刻机已运抵武汉天河机场，设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。

　　据悉，长江存储的首台光刻机同样来自ASML，为193nm浸润式光刻机，售价7200万美元，约人民币4.6亿元，用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。

　　来自长江存储的官方消息，4月11日，国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

　　据悉，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片。

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