ASML出货新光刻机NXT2000i:用于7nm/5nm DUV工艺
据外媒报道,光刻机霸主ASML(阿斯麦)已经开始出货新品Twinscan NXT:2000i DUV(NXT:2000i双工件台深紫外光刻机),可用于7nm和5nm节点。
NXT:2000i将是NXE:3400B EUV光刻机的有效补充,毕竟台积电/GF的第一代7nm都是基于DUV工艺。
同时,NXT:2000i也成为了ASML旗下套刻精度(overlay)最高的产品,达到了和3400B一样的1.9nm(5nm要求至少2.4nm,7nm要求至少3.5nm)。
ASML将于本季度末开始量产Twinscan NXT:2000i,价格未披露。目前,NXE:3400B EUV光刻机的报价是1.2亿美元一台,传统的ArF沉浸式光刻机(14nm节点)报价是7200万美元之间, NXT:2000i肯定是在这两者之间了。
最后简单介绍下ASML公司,其脱胎于荷兰飞利浦的光刻研发小组,2017年全球光刻机市场占比7成,是绝对的一哥,后面跟着的是佳能、尼康和上海微电子。
集成电路在制作过程中经历材料制备、掩膜、光刻、刻蚀、清洗、掺杂、机械研磨等多个工序,其中以光刻工序最为关键,它是整个集成电路产业制造工艺先进程度的重要指标,即在芯片制造过程中的掩膜图形到硅衬底图形之间的转移。(上刻出晶体管器件的结构和晶体管之间的连接通路。)
图为NXE:3300 EUV光刻机
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •Vishay NTC浸入式热敏电阻为液冷汽车系统提供1.5秒快速响应时间2025-07-03
- •瑞萨电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控制器,树立MCU性能新标杆2025-07-02
- •Arm 洞察与思考:AI 技术破解创新与环境可持续发展难题2025-07-02
- •瑞萨电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力2025-07-02
- •Vishay CHA系列通过AEC-Q200认证的薄膜片式电阻现推出0402外壳尺寸2025-07-02
- •大联大世平集团推出以NXP产品为核心的HVBMS BJB方案2025-07-02
- •适用于高速应用的先进全局快门图像传感器2025-07-02
- •摩尔斯微电子的Wi-Fi HaLow技术正式获得Matter 认证2025-06-27
- •第十六届夏季达沃斯论坛举办,安谋科技CEO陈锋受邀分享产业升级与全球协作洞见2025-06-26
- •SiC Combo JFET技术概览与特性2025-06-26