去年全球有3/4的DRAM来自韩国

来源:芯科技 作者: 时间:2019-03-05 11:06

dram 韩国 韩联社

  去年存储器半导体市场迎来前所未有的荣景,“韩国半导体联军”创下佳绩,三星以压倒性优势排名第一,SK海力士DRAM市占率突破3成,有预测指出,今年三星与SK海力士的市占率将进一步成长。

  据《韩联社》报导,市调公司DRAMeXchange于4日发表的数据指出,去年全球DRAM市场的销售额达到996亿5500万美元,比前一年(717亿2000万美元)成长39%,创下历史新高纪录。

  从企业别来看,三星电子的销售额为437亿4700万美元,市占率为43.9%,维持着压倒性的领先地位;SK海力士也紧追在后,销售额达294亿900万美元,市占率为29.5%。若将两家企业一并来看,在全球DRAM市场占有率高达73.4%,这也代表着,全球DRAM的销售额约有4分之3是由这两家韩国企业所贡献的。

  值得注意的是,SK海力士去年第四季的市占率为31.2%,和排名第三的美国美光(23.5%%)拉大了差距。反观三星电子第四季市占率虽然有41.3%,但比起前一年的46.0%有所下滑。

  DRAMeXchange预测,今年整体市场的销售预估值比起去年减少17.5%达822亿4700万美元,但“韩国半导体联合军”在存储器市场的市占率还会进一步提升,其中三星电子和SK海力士的市占率会成长至44.9%、29.6%。

  另一方面,去年全球NAND闪存市场销售额为632亿1000万美元,首次超过600亿美元,也创下新纪录。三星电子的销售额为221亿900万美元,市占率为35.0%排名低一,之后依序是东芝(19.2%)、西部数据(14.9%)、美光(12.9%)、SK海力士(10.6%)等。若将三星电子和SK海力士合并来看,市占率合计为45.6%,与前一年47.2%相比有所下降。

  业内相关人士表示,去年全球的NAND闪存市场有一半都是“韩国品牌”,多亏预先的设备投资和研究开发(R&D)的力量,预计短期内将持续创造技术差距。他也补充,在SK海力士继去年底NAND闪存专用生产线清州M15竣工后,接着会持续扩大投资,继DRAM之后NAND闪存领域也有可能跻升为第2名。



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