东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。
为达到175℃的通道温度,该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV(智能柔性封装低电压)封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。
? 应用
用于轨道车辆的逆变器和转换器
可再生能源发电系统
工业电机控制设备
? 特性
漏源额定电压:VDSS=3300V
漏极额定电流:ID=800A双通道
宽通道温度范围:Tch=175℃
低损耗:
Eon=250mJ(典型值)
Eoff=240mJ(典型值)
VDS(on)sense=1.6V(典型值)
低杂散电感:Ls=12nH(典型值)
高功率密度的小型iXPLV封装
? 主要规格
器件型号 | ||||
封装 | iXPLV | |||
额定最大绝对值 | 漏源电压VDSS(V) | 3300 | ||
栅源电压VGSS(V) | +25/-10 | |||
漏极电流(DC)ID(A) | 800 | |||
漏极电流(脉冲)IDP(A) | 1600 | |||
通道温度Tch(℃) | 175 | |||
隔离电压Visol(Vrms) | 6000 | |||
电气特性 | 漏源电压导通电压(感应) VDS(on)sense典型值(V) | VGS=+20V时, ID=800A | 1.6 | |
源漏电压导通电压(感应) VSD(on)sense典型值(V) | VGS=+20V时, IS=800A | 1.5 | ||
源漏电压关断电压(感应) VSD(off)sense典型值(V) | VGS=-6V时, IS=800A | 2.3 | ||
杂散电感模块LSPN典型值(nH) | 12 | |||
导通开关损耗 Eon典型值(mJ) | VDD=1800V时, ID=800A、 Tch=150℃ | 250 | ||
关断开关损耗 Eoff典型值(mJ) | VDD=1800V时, ID=800A、 Tch=150℃ | 240 | ||
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。
- •TI首款具有集成式有源EMI滤波器的先进直流/直流控制器发布2021-04-07
- •Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度2021-04-07
- •思特威推出基于DSI-2技术首创新品SC233A与SC223A2021-04-07
- •Cadence推出下一代Palladium Z2和Protium X2系统2021-04-06
- •Arm推出Arm v9架构 面向人工智能、安全和专用计算的未来2021-03-31
- •新型车用混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升2021-03-30
- •CEVA发布适用于室内自主机器人的高精度航位推算软件解决方案2021-03-30
- •意法半导体和OQmented联合研制、销售先进的MEMS微镜激光束扫描解决方案2021-03-30
- •首次支持RISC-V!莱迪思新方案如何降低FPGA视觉与安全应用开发难度?2021-03-29
- •Achronix宣布其SpeedcoreeFPGA IP核出货量超千万个2021-03-25