35亿！SiC、IGBT大角逐，功率芯片国产替代“换血”？

35亿！SiC、IGBT大角逐，功率芯片国产替代“换血”？

今天，斯达半导体发布定增预案，拟非公开发行股票募资不超过35亿元，其中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目；7亿元用于功率半导体模块生产线自动化改造项目。

资料来源：斯达半导体，华强电子网

随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C领域迈向新能源汽车、智能电网、变频家电、轨道交通等诸多产业。市面上与电池能源转换相关的功率半导体器件已经杯水车薪，未来只会更缺货。

编者认为，高压特色工艺功率芯片主要用于智能电网、轨道交通，以前可能只是在中低压的IGBT，现在可能高压也要做，目前国内3300V及以上的功率器件基本依赖进口，核心器件的国产化亟待解决。而SiC芯片及SiC功率器件在高端新能源汽车控制器中也需要大批量应用。

毕竟，早在两年前，特斯拉的主逆变器已经开始采用SiC MOSFET方案，随后博世、采埃孚等多家零部件制造商甚至比亚迪、 雷诺等整车生产商开始在部分产品中采用SiC MOSFET方案，SiC功率器件逐步成为掌上明珠。

因为，新能源汽车将新增大量与电池能源转换相关的功率半导体器件，与Si（硅）基的IGBT 相比，SiC MOSFET在尺寸、功耗方面性能更加强悍。

虽然目前碳化硅功率器件市场规模仅在10亿美元的量级，但受新能源汽车、光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗的要求，预计碳化硅功率器件5年后的市场规模将向100亿美元级别迈进，年复合增速在40%左右。

不过，虽然碳化硅器件在驱动电容电阻领域的工艺及技术也逐步成熟，被认为是可以代替IGBT，但是成本较贵，从工艺上来看，碳化硅模块的封装工艺要求比IGBT模块要求更高，斯达半导体也面临着各种新的考验。

总的来说，以上两个项目，一个是关于更高端精细的功率芯片的，是从无到有的全新布局，需要通过新建厂房及仓库等配套设施，购置光刻机、刻蚀机、显影机、电子显微镜等一系列全产业设备，以实现从研发到产业化的目的。这当然是十分烧钱的，几十亿的成本估计也很快花完。

另一个则是利用现有厂房，对原有功率半导体模块生产线，实施自动化升级改造，这就需要另外购置全自动划片机、在线式全自动印刷机、贴片机、清洗机等设备。

不难发现，斯达半导体致力于 IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造。高压特色工艺功率芯片和SiC芯片受下游多行业需求拉动，也带来巨大的发展动力。

换言之，以上两项投资既能提高斯达半导体IGBT、SiC模块的产能瓶颈之余，又能进一步丰富其产品结构，有效整合产业资源，加快国产替代。

此前，国家先后印发了一系列鼓励、支持性政策，推动支持SiC等第三代半导体材料的制造及技术的突破。另一方面，国务院去年底在最新出台的《新能源汽车产业发展规划》中指出，到2025年国内新能源汽车市场竞争力将明显增强，销量占当年汽车总销量的25%左右。

另外，在新基建的产业背景下，诸多产业对功率半导体也产生了巨大的需求，再加上国产替代进程也在加速，目前国内已是全球最大的功率半导体市场，占据全球35%左右份额，功率半导体具有广阔的市场前景。

不过，斯达半导体虽然紧跟政策步伐和市场浪潮，但目前其绝大部分产品为IGBT模块，存在产品结构单一的风险。毕竟，若短期内出现各应用领域需求下降、市场拓展减缓等情况，对抗风险能力实在有限，而本次募投项目的投入、建设、运营存在一定周期，经济效益难以立即体现，项目建成达产后，也将新增大量固定资产和研发投入，年均新增折旧、费用金额较大。

最新的数据显示，去年全球新能源汽车总销量已超过300万辆，同比增长超过40%，未来随着政策、技术、配套、消费习惯等因素的持续推动影响，达到1000万辆级别的水平在几年内应该能看到的。届时，全球新能源汽车产业将面临前所未有的发展机遇。

正因如此，今年以来，全球头部科技公司已开始加快入局相关领域。不过，随着市场普遍看好产业前景，IGBT 等功率器件的广泛应用，虽然本行业的门槛较高，但部分国内友商也经过几年的技术积累，包括国外大厂也在不断蚕食市场资源。因此，综合国内外市场情况，未来斯达半导体将会面临较为激烈的市场竞争。