东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET

来源:华强电子网 作者: 时间:2021-03-11 15:00

东芝 TOLL 封装

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TOLLTO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65ZTK090U65ZTK110U65ZTK155U65ZTK190U65Z,今日开始批量出货。

 

11.jpg                                          

 

TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比,其导通开关损耗降低了约68%,关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。

TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容,覆盖了低至65mΩ(最大值)的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进,以减小设备尺寸并提高效率。

?  应用

数据中心(服务器电源等)

光伏发电机的功率调节器

不间断电源系统

?  特性

薄而小的表面贴装封装

采用4引脚封装,可以减少导通和关断的开关损耗。

最新[4]DTMOSVI系列

?  主要规格

Ta25℃)

器件型号

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

封装

名称

TOLL

尺寸典型值

mm

9.9×11.68厚度=2.3

绝对最大额定

漏源电压

VDSSV

650

漏极电流

DC

IDA

38

30

24

18

15

漏源导通电阻

RDS(ON)最大Ω

@VGS10V

0.065

0.09

0.11

0.155

0.19

栅极电荷总量

Qg典型值(nC

62

47

40

29

25

栅漏电荷

Qgd典型值(nC

17

12

11

8

7.1

输入电容

Ciss典型值(pF

3650

2780

2250

1635

1370

结壳热阻

Rth(ch-c)最大/W

0.462

0.543

0.657

0.833

0.961

常规系列(DTMOSIV

器件型号

-

-

-

TK20G60W[6]

TK16G60W[6]

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注:

[1] 具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺

[2] 截至2021310日,东芝测得的数值(测试条件:VDD400VVGG+10V0VID15ARg10ΩTa25℃)。

[3] 仅限TK090U65Z

[4] 截至2021310

[5] 仅限TK065U65Z

[6] VDSS600VD2PAK封装


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