东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日开始批量出货。
TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接，从而减小封装中源极线的电感，进而发挥MOSFET实现高速开关性能，抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比，其导通开关损耗降低了约68%，关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。
TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容，覆盖了低至65mΩ（最大值）的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进，以减小设备尺寸并提高效率。
? 应用
数据中心（服务器电源等）
光伏发电机的功率调节器
不间断电源系统
? 特性
薄而小的表面贴装封装
采用4引脚封装，可以减少导通和关断的开关损耗。
最新[4]的DTMOSVI系列
? 主要规格
（Ta＝25℃）
器件型号 | TK065U65Z | TK090U65Z | TK110U65Z | TK155U65Z | TK190U65Z | |
封装 | 名称 | TOLL | ||||
尺寸典型值 （mm） | 9.9×11.68，厚度＝2.3 | |||||
绝对最大额定值 | 漏源电压 VDSS（V） | 650 | ||||
漏极电流 （DC） ID（A） | 38 | 30 | 24 | 18 | 15 | |
漏源导通电阻 RDS(ON)最大值（Ω） @VGS＝10V | 0.065 | 0.09 | 0.11 | 0.155 | 0.19 | |
栅极电荷总量 Qg典型值（nC） | 62 | 47 | 40 | 29 | 25 | |
栅漏电荷 Qgd典型值（nC） | 17 | 12 | 11 | 8 | 7.1 | |
输入电容 Ciss典型值（pF） | 3650 | 2780 | 2250 | 1635 | 1370 | |
结壳热阻 Rth(ch-c)最大值（℃/W） | 0.462 | 0.543 | 0.657 | 0.833 | 0.961 | |
常规系列（DTMOSIV） 器件型号 | - | - | - | TK20G60W[6] | TK16G60W[6] | |
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注：
[1] 具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2] 截至2021年3月10日，东芝测得的数值（测试条件：VDD＝400V，VGG＝+10V／0V，ID＝15A，Rg＝10Ω，Ta＝25℃）。
[3] 仅限TK090U65Z
[4] 截至2021年3月10日
[5] 仅限TK065U65Z
[6] VDSS＝600V，D2PAK封装