三星将提高非存储芯片领域投资：与台积电高通竞争 计划投入1514亿美元

三星将提高非存储芯片领域投资：与台积电高通竞争 计划投入1514亿美元

       5月14日消息，据报道，在芯片代工方面，虽然三星电子的份额与台积电相比有不小的差距，但在制程工艺方面，他们是唯一能基本跟上台积电节奏的厂商，7nm 和 5nm 制程工艺，量产时间都只是略晚于台积电。

　　从外媒最新的报道来看，三星电子将提高在芯片代工等非存储芯片领域的投资。

　　外媒的报道显示，三星电子在周四表示，到 2030 年，他们将在非存储芯片领域投资 171 万亿韩元，折合约 1514.5 亿美元，较此前计划的 133 万亿韩元有明显增加。

　　从外媒的报道来看，三星电子是在一份声明中，宣布他们将加大在非存储芯片领域的投资的。增加投资，是希望在芯片代工方面同台积电展开竞争，与高通在智能手机处理器方面展开竞争。增加投资后，他们就将加速在先进芯片制程工艺方面的研发和生产线的建设。