三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM
10月12日消息,据外媒报道,全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片,这有助于其巩固在存储行业的领导地位。
继去年3月出货业界首款EUV DRAM之后,三星电子已将EUV层的数量增加到5层,为其DDR5解决方案提供当今最精细、最先进的DRAM生产工艺。
DDR5是下一代DRAM标准,与DDR4相比,它具有速度快、密度高、功耗低的特点。它还针对大数据、人工智能(AI)和机器学习等数据密集型应用进行了优化。
三星电子表示,EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤,提高了图案绘制的准确性,从而实现了更好的性能和更高的产量,并缩短了开发时间。
三星电子还称,即将开始量产DDR5,并预计最新的工艺将使生产率提高20%,能耗降低近20%。利用最新的DDR5标准,三星14纳米DRAM将帮助解锁前所未有的高达7.2Gbps的速度,这是DDR4速度的2倍多。
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Lee Joo-Young称:“通过专注关键的图形技术创新,我们已经引领了DRAM市场近30年。今天,三星用多层EUV实现了另一个技术里程碑,这是传统的氟化氩(ARF)工艺所不可能实现的壮举。”
他补充说:“在这一进步的基础上,我们将继续提供差异化程度最高的内存解决方案,充分满足5G、AI和元宇宙等数据驱动型领域对更高性能和容量的需求。
- •流淌在机械键盘上的魔法 源自这颗芯片2024-07-26
- •Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管2024-07-24
- •以高性能图像传感器加速机器视觉应用落地2024-07-24
- •安森美将为大众汽车集团的下一代电动汽车提供电源技术2024-07-23
- •艾迈斯欧司朗与greenteg推出的突破性体温监测技术已成为全球铁人三项的关键技术支持2024-07-22
- •碳化硅半导体--电动汽车和光伏逆变器的下一项关键技术2024-07-22
- •安森美加速碳化硅创新,助力推进电气化转型2024-07-19
- •东芝推出全新可重复使用的电子熔断器(eFuse IC)系列产品2024-07-18
- •大联大友尚集团推出基于ST产品的140W USB PD3.1快充方案2024-07-18
- •得翼通信创始人&CEO:外挂RPU,捅破射频天花板2024-07-18