乘胜追击？国芯替代！华为投资来了

乘胜追击？国芯替代！华为投资来了

2月11日消息，“充电桩芯片”第一股东微半导在科创板挂牌上市，首日开盘5分钟涨超13%，市值破百亿元，惹来众人瞩目。

实际上，东微半导是一家工业及汽车领域应用的半导体企业，在高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域中，实现了国产化。

德系大厂背景，车芯“交集替代”？

据悉，东微半导的联合创始人为龚轶与王鹏飞，2008年9月，龚轶与王鹏飞共同创办东微有限。

编者查阅资料显示，龚轶早年便担任美国超微半导体公司工程部工程师。后来，龚轶转投到德国英飞凌科技，担任技术专家。

而王鹏飞与龚轶有着相似的经历，王鹏飞早年在德国英飞凌科技，担任存储器研发中心研发工程师一职。关键的是，王鹏飞还担任过复旦大学微电子学院教授，是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。

因此，上述两人年龄背景相仿，在车载芯片上发生了交集也就不难理解了。在成立东微半导后，龚轶一直做总经理，负责东微半导的业务，王鹏飞则为首席技术官，带领刘磊、刘伟及毛振东进行研发。

另外，编者发现，东微半导核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着较为丰富的产品开发经验和项目管理经验。在缺芯潮背景之下，这是对东微半导业绩如虎添翼？

对此，编者也留意到，预计东微半导2021年度，营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150%至160%。显然，营收大增的背后，是新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求提升，公司产品规模增长所致。

不难发现，东微半导专注新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源等领域，为国内少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的高性能功率半导体厂商。

另外，在业务结构中，东微半导与士兰微和新洁能相近。士兰微主营MOSFET、IGBT半导体分立器件；新洁能则做沟槽型功率MOSFET、超级结功率MOSFET的。

总的来说，随着中美贸易摩擦、自主可控意识的提升，以及国内下游汽车电子、5G通信、工业电子等需求的提升，国内功率半导体企业将凭借市场优势，迎来高速发展时期，国产替代将是大势所趋。

硬实力“吸金”，华为投资借势而起？

编者留意到，东微半导此次募投中的研发工程中心建设项目计划在SiC器件、新型硅基高压功率器件方向进行布局，为其可持续发展提供更有力的技术支撑。东微半导提早布局并推出碳化硅功率器件，能够持续扩产公司产品类型，为客户提供更加完整的高性能功率器件产品，也将为将来的发展提供了更大的想象空间。

除此之外，基于业内独创的Tri-gate IGBT技术，东微半导的研发团队创造性地提出了Hybrid-FET器件结构，该器件在大幅提高功率器件功率密度的同时，能够维持较高的开关速度，可明显提升系统效率。

因此，从东微半导的招股书和以往公开的资料，也发现多项令人意外的技术亮点，也就不难理解这家素来低调的公司为何同时被众多大资本看中。

实际上，与比亚迪半导体一样，作为炙手可热的车载芯片，东微半导IPO备受瞩目，其背后的投资阵容非常亮眼，包含了哈勃投资、中芯聚源、中兴创投以及元禾控股等，而随着东微半导的上市，哈勃投资获得了多倍回报。

当然，这不是哈勃投资第一次在VC投资上，获取丰厚回报。

编者也发现，自哈勃投资成立以来，或已经拿下6个IPO，此前不久哈勃投资押中的天岳先进也在科创板挂牌上市。随着天岳先进的上市，哈勃投资在这笔投资中，回报倍数达到20倍。

此外，思瑞浦、灿勤科技、东芯股份、炬光科技，均是哈勃投资投出的IPO。或许是VC投资做的“风生水起”，哈勃投资也正式进军私募。

总的来说，东微半导顺利打造出高性能的高压超级结MOSFET，凭借着独创的Tri-gate IGBT技术，东微半导又顺利进入IGBT市场，并开发出第三代半导体芯片。相信东微半导成功IPO之后，有更大作为。

而截至目前，哈勃投资的公司中，纳芯微、好达电子、长光华芯等均已经过会。乘着相关投资企业东风之下，可以预见，一个“硬科技VC”巨头也正在崛起。