共探新机遇，瑞能半导体出席2024国际汽车半导体创新发展交流会
【2024年10月17日– 江苏无锡】
近日，由I.S.E.S国际半导体高管峰会参与主办的“2024国际汽车半导体创新发展交流会”在无锡盛大举行，瑞能半导体首席战略及商务运营官沈鑫作为代表受邀出席。本次交流会汇聚了来自全球的汽车与半导体领域的顶尖专家和企业高管，旨在聚焦汽车电子、功率半导体以及智能网联技术的前沿发展，共探全球汽车产业智能化与绿色转型升级的新机遇。
大会伊始，无锡市政协副主席、惠山区委书记吴建元致欢迎辞，表达了对进一步推动产业创新发展的坚定决心。近年来，惠山区紧密围绕产业升级和技术创新，着力打造汽车电子和集成电路产业集群，未来将继续加大投入，推动产业迈向更高水平。国际半导体高管峰会(ISES)总裁、联合创始人Salah Nasri表示，“随着新能源汽车和智能网联汽车的发展，半导体技术将在推动汽车行业变革中发挥不可或缺的作用，全球协同创新就是应对未来技术挑战的关键。”
全新视野，“种子选手”锁定转型新机遇
瑞能半导体首席战略及商务运营官沈鑫在现场就围绕“高电压SiC MOSFET用于可再生能源应用，具有更简单的设计和更高的功率密度”进行了深度分享。他强调，“从汽车到可再生能源，碳化硅的一系列场景应用正在改变电力电子领域。瑞能半导体凭借敏锐的行业嗅觉，早已意识到这一技术的重要性正在与日俱增，已经对碳化硅器件的开发和生产展开积极的布局。”
瑞能半导体首席战略及商务运营官沈鑫
特别是在高压电力电子系统中，与硅相比，碳化硅功率器件拥有更多的应用优势。碳化硅不仅能够提供比现有硅技术更高的操作电压、更宽的温度范围和更高的开关频率，而且工作损耗降低带来了效率提升，同时也减少了散热需求，整体系统成本有望降低约30%。
事实上，瑞能半导体SiC MOSFET系列产品具有高击穿电压、低比导通RDSON、高热导率和高结温（Tj）高门极可靠性等特点，允许SiC MOSFET处理比相近规格的Si MOSFET高得多的电流和电压，因此功率密度更高。这些优势可转化为更低的功率变换损耗、更高的效率、更简单的变换器拓扑结构以及更好的高温性能。
应用场景优势下，寻求更大突破
当下，碳化硅器件作为第三代半导体，已成为被多个行业所共同追捧的创新技术。市场分析显示，碳化硅市场正在蓬勃发展，预计到2028年市场规模将达到50亿美元。
基于碳化硅广泛的应用场景，瑞能半导体正积极致力于碳化硅器件的开发和生产。在去年，位于上海金山高新区的瑞能半导体全球首座模块工厂正式投入运营，专门生产应用于消费、通讯、新能源以及汽车相关的各类型功率模块及分立器件产品，串联客户和生态圈，积极推动行业高质量发展。
近年来，瑞能半导体尤其关注快速扩张的电动汽车市场，在碳化硅生产过程中，瑞能通过使用经行业认证的代工厂，确保其车规半导体产品生产设施符合汽车行业的要求。为确保产品的可靠性和产品服务能力，瑞能还在运营自有的可靠性实验室和故障分析中心，目前已经通过了CNAS实验室认证。
在产品和技术布局方面，瑞能半导体SiC MOSFET产品系列：覆盖电压范围650V~2200V、拥有极具竞争力的比导通电阻（RON,SP）和包括顶部散热和模块产品在内的各种封装类型，极大的拓宽了瑞能SiC 产品的应用范围。特别需要指出的是，瑞能第二代SiC MOSFET拥有极强的短路能力，在18V和800V电压下的短路耐受时间长达3.5uS，从而确保了可靠性，保证了足够的短路保护时间，配合控制端采用多种灵活的短路保护策略可以有效避免了故障扩大化，确保器件应用安全。以上诸多特性非常适用于EV主逆变器和OBC等应用，有助于提升电动汽车效率和增加续航里程，同时最大程度确保应用安全。
此外，瑞能半导体的SiC MOSFET在推荐18V 驱动电压以获得更低的导通阻抗，突出设计经济型，同时提供15V栅极驱动电压下的RDSON明确标注，确保兼容性，器件设计可确保此较低驱动电压下正常工作，也便于应用到硅器件的设计架构中。瑞能SiC MOS产品的栅氧设计经过特别的优化和严格的可靠性验证，HTGB测试条件范围达到了-12V~24V，试验前后Vth均未发生明显漂移， 最大程度上保证了长期应用安全。
瑞能会持续深耕SiC领域，不断挖掘SiC 器件潜力，拓展SiC产品类型和应用范围，最大程度上服务市场需求，领导产业升级，持续为市场贡献高性能，高可靠，多样化的SiC产品选择，为客户和产业链创造更大价值。
本次交流会汇聚全球行业专家及领先企业的技术分享与思想碰撞，瑞能半导体的受邀参与，不仅彰显了瑞能在行业创新领域的领先地位，也进一步深化了其与广大半导体制造商和设备制造商的交流与合作。未来，瑞能半导体将依托专业的技术和开发团队，打造更多优质产品，为客户提供更多优秀的解决方案，助推全球汽车半导体产业的发展与升级。
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