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安森美扩充1200V沟槽型场截止IGBT器件
【摘要】：安森美24日扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS)绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性。这些最新IGBT器件增添至安森美半导体现有
2012-10-26 09:48
【摘要】：安森美24日扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS)绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性。这些最新IGBT器件增添至安森美半导体现有
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