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  • UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET,具有更高效率和更低损耗

    新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiCFET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器

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    2019-12-10 09:23
  • EPC推出降压电源转换板 缩小尺寸提高电源转换效率

    宜普电源转换公司(EPC)推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)、电源效率为96%的1MHz降压转换器演示板。EPC9107演示板展示如何使用具备高开关频率的氮化镓功率晶体管以缩小尺寸及提高电源转换效率。宜普公司在二零一三年五月宣布推出全

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    2013-06-27 10:14
  • TI业界首款栅极驱动器满足IGBT与SiC FET设计需求

    日前,德州仪器(TI)宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管(IGBT)与碳化硅(SiC)FET的35V单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI支持拆分输出的最新UCC27531与UCC27532输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱

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    2013-03-05 09:29
  • 麦瑞新型集成FET降压稳压器提供最优成本与高性能

    高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(MicrelInc.)今天推出了最新一代SuperSwitcherII?系列集成MOSFET降压稳压器产品,优化了12V满幅输入,提供6A/9A/12A输

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    2013-03-04 10:53

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