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Qorvo收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo?,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qo
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UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET 新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性
领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiCFET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiCMOSFET
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UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK-7L碳化硅FET
全球领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布继续扩展FET产品组合，并推出六款全新的650V和1200V产品，所有这些器件均采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装。这些最新的SiCFET可提供
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UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低损耗
新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiCFET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器
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UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET
碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司宣布，已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650VSiCFET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。这些新器件能够提供新
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UnitedSiC扩展SiC JFET产品组合并发布第三代1200V和650V器件
碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET，扩展了现有的独特常开启型SiCJFET产品组合。这些器件处于通常开启状态，采用零电压栅极驱动，因而特别适用于快速动作、固态断路器和电路保护等应用