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英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS C7
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTMC7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。C7适
2013-05-21 09:25
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTMC7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。C7适
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