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超耐用LDMOS提升功率：恩智浦发布BLF188XR
恩智浦半导体今日推出BLF188XR–其XR系列“超耐用”LDMOS射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计，真实条件下耐用性更强，能够在5dB压缩点承受超过65：1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的
2013-08-13 15:25
恩智浦半导体今日推出BLF188XR–其XR系列“超耐用”LDMOS射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计，真实条件下耐用性更强，能够在5dB压缩点承受超过65：1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的
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