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英特尔重新发明晶体管 3D晶体管优劣势分析
Intel于2011年5月6日宣布了所谓的“年度最重要技术”——世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”。3-DTri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加
2013-12-06 10:20 -
三维晶体管应用日益广泛
最近，“三维”一词在半导体领域出现得十分频繁。比如，英特尔采用22nm工艺制造的采用立体通道结构的“三维晶体管”、8月份三星电子宣布量产的“三维NAND闪存”，以及利用TSV（硅通孔）来层叠并连接半导体芯片的“三维LSI”等。在半导体领域，原来
2013-09-25 08:59