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国内自主研发最高压IGBT芯片及模块面世 上半年投产
近日，由株洲南车时代电气股份有限公司自主研发的6500伏高压IGBT芯片及模块在株洲通过省级鉴定。来自中国工程院、中国科学院的3位院士以及中科院微电子所、南京大学、中南大学等单位的专家认为，该产品具有耐高压、损耗低、可靠性强等特点，尤其是“解决
2014-01-02 09:50
近日，由株洲南车时代电气股份有限公司自主研发的6500伏高压IGBT芯片及模块在株洲通过省级鉴定。来自中国工程院、中国科学院的3位院士以及中科院微电子所、南京大学、中南大学等单位的专家认为，该产品具有耐高压、损耗低、可靠性强等特点，尤其是“解决
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