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世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET
ROHM近日于世界首家※开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等
2015-06-26 10:29