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TI推出1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州仪器(TI)推出新型60-VN通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mmx0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积比S
德州仪器(TI)推出新型60-VN通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mmx0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积比S
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