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泛林首创用于低氟钨填充的原子层沉积工艺
全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团今天宣布推出一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积(ALD)工艺，标志着其业界领先的ALTUS产品系列又添新成员。通过业内首创的低氟钨(LFW)ALD工艺，ALTUSMaxE系列能够帮助存储器芯片
全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团今天宣布推出一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积(ALD)工艺，标志着其业界领先的ALTUS产品系列又添新成员。通过业内首创的低氟钨(LFW)ALD工艺，ALTUSMaxE系列能够帮助存储器芯片
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