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三星大规模量产采用96层技术的512GB UFS3.0
继东芝和西部数据推出采用96层3DNAND的UFS3.0产品后，三星宣布基于第五代V-NAND的512GBeUFS3.0已大规模量产，新的eUFS3.0具有高达2100MB/s的读取速度，是SATASSD的四倍，写入速度达到410MB/s，相当
继东芝和西部数据推出采用96层3DNAND的UFS3.0产品后，三星宣布基于第五代V-NAND的512GBeUFS3.0已大规模量产，新的eUFS3.0具有高达2100MB/s的读取速度，是SATASSD的四倍，写入速度达到410MB/s，相当
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