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Vishay Siliconix推出新款模拟开关

采用表面贴装MSOP-8封装的新款双通道单拉单掷模拟开关采用1.8V～5.5V单电源，导通电阻为2.5Ω日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出用于切换模拟和数字信号的单片双路单拉单掷模拟

2010年11月4日，日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款600V、47AN沟道功率MOSFET——SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET?功率MOSFET---ThunderFET?SiR880DP。新器件是业界首款在4.

Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET SiHx22N60S

Vishay推出4款新的600VMOSFET---SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其SuperJunctio