过剩库存逐渐减少今年一季度全球销售增长缓慢。2007年3月，全球半导体市场销售达203亿美元，较2006年同期成长3.2%，较上个月微幅增加1%。虽然个人计算机、手机和其它行动消费性电子产品在销售量呈

5月份全球10英寸以上TFT-LCD面板出货量达到3310万片，比4月份增长11%，同比增长58%，创下历史最高单月出货量记录。市场调研机构Displaybank数据显示，5月份全球10英寸以上TFT

路透东京电---日本半导体设备协会(SEAJ)周四公布,日本5月芯片制造设备订单为连续第三个月呈现下滑,因厂商等待计算机处理器业者订单回温.SEAJ指出,5月订单金额较去年同期减少4.0%,至1,60

DXI为3,355.18,下跌6.79(0.20%)台湾市场：今日的DRAM市场，由于月底盘点，市场交易情况不多，因此价格并未出现太大变化，不过整体价格还是缓跌的走势，无明显成交量。512Mb(64M

NAND型快閃記憶體(Flash)供應端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進50奈米製程，決定既有採用78奈米製程所生產NANDFlash將暫不供應下游客戶端，還有三星

台塑集团的南亚电路板在本身IC载板业务不见回春加上PCB在第2季仍属淡季，使第2季业绩难有立即好转走势，其股价也屈居弱势；不过，南亚电路板总经理张家钫今天则指出，预估南电6月营收将较5月的25.02亿

DXI为3,378.50,下跌6.79(0.20%)台湾市场：今日的DRAM市场，DDRII价格并无太大的震荡，不过在需求不佳的影响下，整体价格还是缓缓下跌，交易情况不佳。512Mb(64M*8)66

上周DRAM现货市场价格仍持续上涨，但涨幅已经减缓。根据资料，上周DDR2eTT颗粒已上涨至2.23美元，涨幅9.3%；品牌颗粒DDR2512Mb则上涨至2.3美元，上涨7.7%；而品牌的模组价格也随

由英特尔(Intel)所自行研发的嵌入式快闪记忆体(Flash)模组“TurboMemory”(开发代号Robson)，除已于2007年5月率先导入SantaRosa笔记型电脑(NB)平台中应用，亦规

全球半导体设备龙头美商应用材料(AppliedMaterials)南科再生晶圆厂(waferreclaimcenter)27日正式揭幕，应材表示，这座全球首座再生晶圆厂首期工程耗资9亿元，预计初期产能

根据台湾某机构机构所公布的最新记忆体市场调查报告，上周DRAM现货市场价格仍持续上涨，但涨幅已经减缓。DDR2eTT颗粒上涨至2.23美元，涨幅9.3%；品牌颗粒DDR2512Mb64M*8则上涨至2

NAND型快闪记忆体(Flash)供应端下半年恐将拉警报，造成供货严重不足主因，除英特尔(Intel)为抢进50奈米制程，决定既有采用78奈米制程所生产NANDFlash将暂不供应下游客户端，还有三星

某研究机构表示，上周DRAM现货价依然持续上涨，不过涨幅已较之前减缓，其中DDR2eTT颗粒来到2.23美元，单周涨幅9.3%；品牌颗粒DDR2512Mb也来到2.38美元，上涨7.7%。该机构表示，

南韩海力士（Hynix）减少DRAM产出，市场传出台湾下游封测代工厂泰林（5466）本月业绩急转直下，不仅将较5月衰退15%以上，更将创下近一年来单月新低，泰林目前对第三季业绩看法转为保守，且预估代工

台湾某机构推出最新研究报告，首次明确看好DRAM下半年行情，其中512MbDDR2现货价预估会在2至2.5美元间，合约市场则在7月中旬后反弹；至于NANDFlash则看好SLC型短期内价格仍持稳向上。

某机构表示，由于6月份NANDFlash下游终端产品需求稳定，加上SLC型产品供货短缺，以及厂商尚无增产计划，因此预估SLC型NANDFlash价格短期内仍然持续往上。该机构指出，由于同等容量的MLC

华邦电2344(TW)今(27)日宣布与德国QimondaAG(QI-US；奇梦达)签订75奈米与58奈米沟槽式DRAM制程技术移转及产能合作协议，根据协议内容，奇梦达将移转75奈米及58奈米制程技术

27日报导，记忆体晶片制造商Elpida(6665-JP)与台湾力晶5346(TW)的合资公司瑞晶已决定在台湾兴建第2座DRAM厂，最快明年秋季即可大量生产。瑞晶第1座工厂将在下个月投产，初期每月生产

南韩海力士（Hynix）减少DRAM产出，市场传出台湾下游封测代工厂泰林（5466）本月业绩急转直下，不仅将较5月衰退15%以上，更将创下近一年来单月新低，泰林目前对第三季业绩看法转为保守，且预估代工

根据IDC发布的报告，该公司预测今(2007)年度DRAM市场的产值大约为330亿美元，与去年的规模相仿。该公司分析家强调，业者之前对产能过度投资，对相关市场的供应面有负面的影响。今年上半年DRAM平