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RTL
电阻晶体管逻辑电路RTL电路-电阻晶体管逻辑电路。Resistances-TransistorsLogic(Circuit).由晶体管和串接在晶体管基极上的电阻组成以实现“或非”逻辑操作的单元门电路﹐
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噪音容限
噪音容限UNL、UNH低电平噪声容限VNL=Voff–VIL,输出高电平可以得到保障;高电平噪声容限VNH=VIH–Von,输出低电平可以得到保障.通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变换
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扇入系数
扇入系数NI:门电路允许的输入端的数目，称为该门电路的扇入系数。一般NI≤5，最多不超过8。实际应用中若要求门电路的输入端数目超过它的扇入系数，可使用与扩展器或者或扩展器来增加输入端数目，也可改用分级
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扇出系数
出系数No：扇出系数No是指与非门输出端连接同类门的最多个数。它反映了与非门的带负载能力。其中IOLmax为最大允许灌电流，,IIL是一个负载门灌入本级的电流（≈1.4mA）。No越大，说明门的负载能
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卡诺图及其构成原则
卡诺图是由美国工程师卡诺(Kamaugh)提出的一种描述逻辑函数的特殊方法。这种方法是将n个变量的逻辑函数填入一个矩形或正方形的二维空间即一个平面中，把矩形或正方形划分成2n个小别代表方格，这些小方格
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连接器
连接器是我们电子工程技术人员经常接触的一种部件。它的作用非常单纯：在电路内被阻断处或孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现预定的功能。连接器是电子设备中不可缺少的部件，顺着电流
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继电器的分类
继电器的分类方法较多，可以按作用原理、外形尺寸、保护特征、触点负载、产品用途等分类。一、按作用原理分1．电磁继电器在输入电路内电流的作用下，由机械部件的相对运动产生预定响应的一种继电器。它包括直流电磁
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继电器的定义
继电器是一种当输入量（电、磁、声、光、热）达到一定值时，输出量将发生跳跃式变化的自动控制器件。二、继电器的继电特性继电器的输入信号x从零连续增加达到衔铁开始吸合时的动作值xx,继电器的输出信号立刻从y
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电阻的介绍
概论电能、电功率、电流及电压等，皆是最重要的电之数量，除此之外，电阻也不可忽视。一个电路或一套装备，其本身的特性，诸如尺寸、形状与材质的特性，诸如尺寸、形状与材质等，会影响其电流量。某些会阻碍电流的效
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电容介绍
所谓电容，就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成，所以电容类型主要是由电极
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铜连线的优点
和铝连线相比，铜连线有许多优点：（1）铜连线的电阻R比铝连线小。铜的电阻率为1.7μΩ/cm，铝的电阻率为3.1μΩ/cm，铜的电阻率较低，因而减少了阻容（RC)延迟，改善了性能。（2）铜连线的寄生电
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铜连线技术
从60年代初第一块集成电路(IC)问世起，IC中各元件之间的连线一直用着金属铝。IC的布线工艺由蒸铝和腐蚀铝(简称刻铝)工序完成。早期的铝线都做在同一平面上，称作单层连线。随着IC集成度的提高，走线越
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纳米技术的应用
著名的诺贝尔奖获得者Feyneman在60年代就预言，如果对物体微小规模上的排列加以某种控制的话，物体就能得到大量的异乎寻常的特性。他所说的材料就是现在的纳米材料。纳米材料研究是目前材料科学研究的一个
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纳米材料
纳米材料又称为超微颗粒材料，由纳米粒子组成。包括纳米微粒与纳米固体。纳米微粒通常>lnm，需用电子显微镜才能看到。纳米固体系纳米结构材料，尺寸为1～100nm的纳米微粒凝聚而成的块体、薄膜、多层膜和纤
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纳米技术的三种概念
纳米技术是出现于上个世纪后期的一门新兴技术，其实就是一种用单个原子、分子制造物质的技术。由迄今为止的研究状况看，关于纳米技术可分为以下三种概念。第一种概念是1986年美国科学家德雷克斯勒博士在《创造的
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纳米(nm)技术
纳米是一种长度单位，1纳米是1米的十亿分之一，相当于十个氢原子一个挨一个排起来的长度。20纳米相当于1根头发丝的三千分之一。纳米技术、信息技术与生物技术被称为二十一世纪的三大主导技术。纳米技术的发展将
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化合物半导体集成电路
是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶（主要是硅单晶）片上。它完成特定的电路或系统功能。这种集成电路与过去将各个电子元件分别封装，然后装配
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绝缘体硅片(SOI)
绝缘体硅片(SOI)绝缘体上硅片(silicon-on-insulator，SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现、有其独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。随着信息技术
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多层氧化物MOS集成电路
所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面
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正确使用CMOS、NMOS器件需遵守的准则
所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm、50nm、80nm三种。在集成电路高阻抗栅
