0.18微米登陆 茂德:有信心通过 力晶:不急

来源: 作者: 时间:2007-03-22 15:06

    

       台积电昨天获准赴中国投资0.18微米制程技术。另一已送件申请登陆投资0.18微米的茂德表示,相信公司申请案也能够获准;力晶说,公司不急着送件申请赴中国大陆投资0.18微米。
       茂德副总经理曾邦助表示,公司目前中国重庆厂仍处建厂阶段,预计今年底可望完工投入量产;依照建厂时程来看,仍有相当充裕的缓冲时间,只要于完工前获准登陆投资0.18微米,便有助于提升公司中国大陆厂未来竞争力。
       曾邦助说,茂德台湾厂最先进制程技术已达70奈米,与台积电的65奈米相当,若以制程技术领先情况来看,茂德可望继台积电之后,成为台湾第二家获准登陆投资0.18微米制程的半导体厂。
       力晶副总经理兼发言人谭仲民表示,目前力晶登陆兴建8寸晶圆厂仍处前期规划阶段,由于公司与尔必达合资的瑞晶建厂为力晶现阶段营运重点,因此,公司并不急着决定中国设厂地点,甚至是申请投资0.18微米。

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