东芝采用90纳米技术使NAND闪存容量达到4GB

东芝采用90纳米技术使NAND闪存容量达到4GB

     (华强电子世界网讯) 4月7日消息 　Toshiba America Electronic Components, Inc.（东芝美国电子元件公司）及其母公司东芝公司 (Toshiba Corp.)为强化该公司在强大的高容量NAND闪存(flash memory)开发与制造方面的领导地位，今天推出半导体行业第一种4GB单芯片(single-die)多级单元(MLC) NAND闪存。东芝还宣布推出8GB闪存集成电路(IC) (TH58NVG3D4BFT00)。这种集成电路将两个4GB闪存堆叠在同一个封装中。
    
    　　这种采用90纳米处理技术制作而成的新型芯片容量是东芝目前最大的单芯片 NAND 闪存的两倍，将使能支持各种应用的更高容量的闪存卡成为现实。这种新型4GB闪存通过实行先进的设计理念和调整存储单元的控制系统，实现了更快的写入性能。这种新型4GB NAND闪存的样品——TC58NVG2D4BFT00将于4月面市，单价为113美元，每月30万片的大规模生产有望于2004年第三季度开始。
    
    　　新型8GB装置通过在单个薄型小尺寸封装(TSOP,Thin Small Outline Package)内堆叠新型4GB NAND闪存而成，从而开辟更强大的应用之路。这些应用能在支持小型化的同时，提高数字消费电子产品的性能。此外，东芝计划在2004年第三季度推出一款16GB NAND 闪存集成电路样品。这种集成电路将在单个封装中堆叠4个4GB NAND 闪存。
    
    　　NAND 闪存可提供高密度非挥发性的数据保存，因而被广泛应用于闪存卡和作为数码相机、PDA（个人数字助理）和多功能手机等数字消费产品的内置存储器。随着新产品的推出，东芝NAND闪存系列产品将包括从128MB到8GB堆叠型的装置。