三星拟将闪存产能翻倍 90纳米NAND开始出货

三星拟将闪存产能翻倍 90纳米NAND开始出货

     (华强电子世界网讯) 4月7日北京消息：三星电子(Samsung Electronics)计划将闪存产能提高一倍，以巩固其在闪存领域的领导地位。同时，该公司的首款90纳米NAND闪存已开始出货。
    
    　　三星旗下美国公司SamsungSemiconductor的内存销售副总裁TomQuinn表示，三星已开始供应一款采用90纳米工艺生产的2-gigabitNAND闪存。
    
    
     他还表示，三星正在扩展总体闪存产能，以满足照相手机、普通手机、数码相机及USB设备等市场的庞大需求。三星预测，NAND市场以比特(bit)计算的增长率将达到180-200%，目前的闪存短缺局面将持续到今年第三季度。
    
    　　TomQuinn在最近接受SiliconStrategies采访时表示，三星计划把按比特计算的产能提高一倍。DRAM和闪存市场的高涨促使该公司增加其300mm晶圆厂产能。