赛普拉斯联手Honeywell共同开发SOI芯片

来源:华强电子世界网 作者: 时间:2003-03-21 19:49

     (华强电子世界网讯) Honeywell国际公司和赛普拉斯半导体公司宣布了期待已久的交易,共同开发基于硅绝缘体(SOI)技术的芯片,供卫星、战略导弹和其他航天器使用。
    
     Honeywell公司固态电子中心的总经理Eric Doremus说:“与赛普拉斯公司的合作将使我们到2005年能够生产出0.15微米的射频固化(radiation-hardened)技术的产品,比一个公司开发的速度快了两倍。这将使Honeywell公司继续保持在空间计算应用技术产业的领先地位。”
    
     新的微芯片将使用Honeywell公司的专利辐射硬化SOI技术。这种技术使用一个绝缘层保护计算芯片在太空中不受辐射的损坏。赛普拉斯公司将提供技术,使单个晶体管在微芯片上的大小减小到0.15微米。
    

(编辑 伟文)

    
    

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