专家称90纳米芯片量产时间将推到2005年

专家称90纳米芯片量产时间将推到2005年

     （华强电子世界网讯） 出席设计大会(DesignCon)的一个小组讨论的专家一致认为，虽然90纳米工艺设备、主要技术可能已准备就绪，但设计与工艺的复杂性将把90纳米芯片量产时间推后至2005年。
    
     LSI Logic在2002年4月就介绍过自己的90纳米技术，并邀请部分客户对其下一代工艺进行评估。但该公司预期，至少在两年之内，新工艺不会投入量产。
    
     LSI Logic技术产品营销副总裁Ronnie Vasishta表示："我们的90纳米工艺要到2005和2006年才会投产。"
    
     尽管一些公司曾经说过，打算在2003年产出自己的第一批90纳米芯片，但其中多数产品将是早期原型。Rambus网络通讯部副总裁Kevin Donnelly认为，2004年可能开始有限规模的生产，但在2005年以前全面投产并不现实。
    
     MoSys副总裁Mark-Eric Jones亦持此看法。他指出，台积电在上个季度报告说，其生产的芯片中只有8%采用了130纳米工艺，显示芯片业仍须消化现有技术。
    
     据称，参与讨论的人士中有五分之四的人认为，90纳米芯片可能最早于2005年全面投产。
    
     专家指出，导致90纳米工艺量产时间延后的原因包括：生产设备和光罩价格高昂，电源、混和信号知识产权(IP)、内存和设计方法复杂。
    
     而且，90纳米工艺为设计人员带来了许多新问题，如怎样使设计能保证芯片忧良率达到可接受的水平。