IM Flash样品供货50nm 16Gbit多值NAND型闪存
美国美光科技与美国英特尔的NAND型闪存合资制造公司——美国IM Flash Technologies，已经开始样品供货采用2bit/单元多值技术的50nm 16Gbit产品（英文发布资料）。IM Flash已于2006年7月供货了50nm 4Gbit的样品，不过，当时并未采用多值技术。
IM Flash专用300mm工厂2月启动
IM Flash早就表示：“将从07年中期开始量产2bit/单元的50nm产品”（美光副总裁 NAND发展部Frankie Roohparvar）。并且，目前正在开发50nm品的后续产品——40nm以后的产品。此前，该公司在位于爱达荷州波伊西和弗吉尼亚州Menassas的美光的工厂量产NAND型闪存，不过，自07年2月起已经在位于犹它州Lehi的IM Flash专用300mm工厂进行量产。
在业界，东芝和美国SanDisk已于2007年第1季度（1～3月）开始量产采用2bit/单元多值技术的56nm 8Gbit产品，并宣布07年第2季度（4～6月）量产8Gbit产品（参阅本站报道）。韩国三星电子也于同年1月开始样品供货采用2bit/单元多值技术的50nm 16Gbit产品。
IM Flash专用300mm工厂2月启动
IM Flash早就表示：“将从07年中期开始量产2bit/单元的50nm产品”（美光副总裁 NAND发展部Frankie Roohparvar）。并且，目前正在开发50nm品的后续产品——40nm以后的产品。此前，该公司在位于爱达荷州波伊西和弗吉尼亚州Menassas的美光的工厂量产NAND型闪存，不过，自07年2月起已经在位于犹它州Lehi的IM Flash专用300mm工厂进行量产。
在业界，东芝和美国SanDisk已于2007年第1季度（1～3月）开始量产采用2bit/单元多值技术的56nm 8Gbit产品，并宣布07年第2季度（4～6月）量产8Gbit产品（参阅本站报道）。韩国三星电子也于同年1月开始样品供货采用2bit/单元多值技术的50nm 16Gbit产品。