技术领先 海力士展出40纳米内存芯片
来源:中关村在线 作者:—— 时间:2010-03-09 15:07
2010年3月2日到6日,全球规模最大的ICT产业盛会——汉诺威消费电子、信息及通信博览会,即CeBIT,在德国汉诺威展览中心隆重举行。作为每年最主要的全球IT和通信产业盛会,CeBIT是IT界绝大多数企业选择的商务平台,具有巨大的商业影响力。截止目前,本次以“发展?挑战——ICT为您成就更好的事业和生活”为主题的CeBIT已吸引了310家中国企业报名参展。
在有数几个上游DRAM颗粒厂商中,现代海力士(Hynix)具有举足轻重的地位。而且在很多报表中,海力士排名均在前三甲。本次CeBIT德国大展同样展示出很多新品。
现代展台
工作人员安装展台
液晶电视墙
Hynix展出世界上首款2Gb低功耗DDR2内存,该内存将会主要面向的移动设备,使用了该公司先进的40nm工艺,有效频率为1066MHz,这个速度在当前所有的移动DRAM解决方案中是最快的,同时在所有MCP (multi chip package)或PoP (package on package)封装移动DRAM产品容量也是最高的。这款内存的工作电压为1.2V,数据带宽最高可达4.26GB/s,从而可以为移动设备带来极高的带宽性能。
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