技术领先 海力士展出40纳米内存芯片

技术领先 海力士展出40纳米内存芯片

2010年3月2日到6日，全球规模最大的ICT产业盛会——汉诺威消费电子、信息及通信博览会，即CeBIT，在德国汉诺威展览中心隆重举行。作为每年最主要的全球IT和通信产业盛会，CeBIT是IT界绝大多数企业选择的商务平台，具有巨大的商业影响力。截止目前，本次以“发展?挑战——ICT为您成就更好的事业和生活”为主题的CeBIT已吸引了310家中国企业报名参展。

    在有数几个上游DRAM颗粒厂商中，现代海力士（Hynix）具有举足轻重的地位。而且在很多报表中，海力士排名均在前三甲。本次CeBIT德国大展同样展示出很多新品。

现代展台

工作人员安装展台

液晶电视墙

    Hynix展出世界上首款2Gb低功耗DDR2内存，该内存将会主要面向的移动设备，使用了该公司先进的40nm工艺，有效频率为1066MHz，这个速度在当前所有的移动DRAM解决方案中是最快的，同时在所有MCP (multi chip package)或PoP (package on package)封装移动DRAM产品容量也是最高的。这款内存的工作电压为1.2V，数据带宽最高可达4.26GB/s，从而可以为移动设备带来极高的带宽性能。