晶体变换器的概要及设计

晶体变换器的概要及设计

图20所示的为各种性能。由其中的图(C)所示的顺方向传达电导|yfs|特征，可以知道VG1S=0.5V,VD2S=4V时，|yfs|=23mS。

图20 3SK73的诸项特性
(此为使用厂商的数据规格所做的设计。在G2电压(AGC电压)为0~2V时，电功率放大率为l0~24dB变化。)
根据以上的条件，从图(a)与图(b)的特性可以求出漏极电流ID=14mA。
可是，如图(e)所示，在外部温度Ta达到75℃时，漏极电功率损失PD必须控制在150mW以下。此时，可以求出漏极-源极间电压VDS=150/14=10.7V。
根据3SK73GR的IDSS分类，有6mA~14mA。由特性图可以看出，所流通的ID值较大，为考虑余裕度，电源电压设计为6V。
图(d)所示的为AGC (Automatic Gain Contro1)电压与噪声指数NF，以及电功率放大率Gps的关系。此所示的虽然为在VG1S＝0V时的数据，但是，相当不太大，因此，可以直接如此使用。
ACC电压是指VG2S，在VG2S=4V时，NF约为2dB。此一数值对于高频率放大电路而言，还算可以。
电功率放大率约为25dB。VG2S为0～4V变化时，其放大率为在+10～+25dB间变化。也即是，利用VC2S，可以改变的放大率约为15dB。