DRAM合约价续小跌 展望下半年厂商皆表乐观
来源:电子市场 作者:—— 时间:2010-07-01 09:48
6月下旬,受到需求下滑的影响,DRAM合约价续小跌。而DRAM厂南科、华亚科、力晶皆对下半年表示乐观。
DRAM市况需求下滑,集邦报价显示,6月下旬DRAM合约价续维持小跌,DDR2 1Gb颗粒均价在2.38美元,下滑1.3%,DDR3 1Gb颗粒均价在2.63美元,下滑2.66%;DDR2 2Gb模组约小滑1.25%,DDR3 2Gb模组小跌2.22%。
市调机构集邦科技并指出,制程转进带动成本下降,DRAM厂营业利益率(OP Margin)成本优势最佳者,今年营业利益率平均为36%,明年平均为26%,即DRAM厂明年将持续获利。
南科指出,该公司近期合约价持平,第三季、第四季在企业换机潮、返校季节与耶诞节旺季效应带动下,DRAM可望需求增温。
南科指出,该公司12寸厂50奈米制程转换顺利,8月份所有DRAM将转为2Gb DDR3,生产成本降低,估第三季位元季成长幅度将达二、三成以上,42奈米制程也提早到6月开始试产,第四季将会有产品出来。南科、华亚科皆预期下半年会一季比一季好。力晶第二季可望持续获利,展望下半年也乐观。
集邦科技表示,今年下半年DRAM产业制程加速推进,产出增加将带动价格下跌,但价格下跌有助刺激DRAM搭载量提高到4GB以上,预估DRAM均价今年第四季会向下修正。
面对三星扩大资本支出将带动产能增加、技术转进,集邦认为,DRAM厂将积极强化竞争力,例如美光阵营转进50奈米制程的同时,也加速42奈米的脚步;尔必达阵营包括瑞晶量产63奈米与本月将投片42奈米制程。