IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的新产品
来源：华强电子网
作者：——
时间：2010-07-02 10:45
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于新器件的尺寸仅为0.9mm，并具有标准引脚，可提供高额定电流和低导通电阻，因此与需要多个并行元件的解决方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。”
所有器件都具有低热阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 标准，所采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。
产品基本规格
|
器件编号 |
封装 |
电压 |
电流 |
导通电阻 |
栅极电荷类型 |
栅极 |
|
IRFH5004TRPBF |
PQFN 5x6mm |
40 V |
100A |
2.6 mOhm |
73 nC |
标准 |
|
IRFH5006TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
4.1 mOhm |
67 nC |
标准 |
|
IRFH5106TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
5.6 mOhm |
50nC |
标准 |
|
IRFH5206TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
98A |
6.7 mOhm |
40 nC |
标准 |
|
IRFH5406TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
40A |
14.4 mOhm |
23 nC |
标准 |
|
IRFH5007TRPBF |
PQFN 5x6mm |
75 V |
100A |
5.9 mOhm |
65 nC |
标准 |
|
IRFH5207TRPBF |
PQFN 5x6mm |
75 V |
71A |
9.6 mOhm |
39 nC |
标准 |
|
IRFH5010TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
100A |
9.0 mOhm |
65 nC |
标准 |
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