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IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的新产品

IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的新产品

来源：华强电子网 作者：—— 时间：2010-07-02 10:45

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

 

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

 

IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于新器件的尺寸仅为0.9mm，并具有标准引脚，可提供高额定电流和低导通电阻，因此与需要多个并行元件的解决方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。”

 

所有器件都具有低热阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 标准，所采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。

 

产品基本规格

 

器件编号

封装

电压

电流

导通电阻

栅极电荷类型

栅极

IRFH5004TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

2.6 mOhm

73 nC

标准

IRFH5006TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

4.1 mOhm

67 nC

标准

IRFH5106TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

5.6 mOhm

50nC

标准

IRFH5206TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

98A

6.7 mOhm

40 nC

标准

IRFH5406TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

40A

14.4 mOhm

23 nC

标准

IRFH5007TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

100A

5.9 mOhm

65 nC

标准

IRFH5207TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

71A

9.6 mOhm

39 nC

标准

IRFH5010TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

9.0 mOhm

65 nC

标准

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