基于GaN晶体管技术的EMC测试放大器

　　新产品放大器采用了第三代宽带隙GaN晶体管技术，与现有的来自IFI、TESEQ、AR、PRANA和BONN的放大器相比，在同一封装内，功率可比上一代Si LDMOS、GaAs技术高10倍?20倍，可靠性提高20倍，寿命达到100万小时；采用CSA拓扑结构的该放大器具有250W、400W及750W 三种不同的P1dB输出功率，可用在3U、7U和15U机箱中，并支持从250W到750W的升级。采用氮化镓晶体管技术设计的功率放大器尺寸，比同类产品有了非常可观的缩小。

　　一个驱动模块加4个功率模块通过并联构成该放大器基本结构，每一个模块都由全金属封闭，避免了各模块间的彼此信号干扰，且任意功率模块出现故障都不影响另外3个模块继续输出功率。以模块化设计的核心部件功率，通过模块下方两个功率针脚直接输出，用户安装可像PC卡一样直接插入主板卡槽即插即用，非常的方便，这种设计也使得整个系统的可靠性得到大幅提高。Pat Moore表示，这是MILMEGA在所有同类产品中唯一可提供5年质保的基础，同时承诺产品诊断和修理时间不超过8小时，从而保证了用户极短的停机时间需求。

　　功率放大器不间断正常工作，是用户的基本需求。驱动模块通过通信接口监测功率模块的运行，用户可经由LED指示灯的可视化方式得知各功率模块工作状态。Pat Moore介绍，目前放大器产品的修理、更换一般约需3个月时间，这是用户无法承受的维修成本。而MILMEGA最多只需两天的维修流程，为客户大大减少了宕机时间。

　　目前，无线设备的密度越来越高，无线接口的使用也在不断增加，电子产品设计中对设备紧密度要求的增加，都促使EMC测试成为电子产品设计中至关重要的环节。MILMEGA此次推出具有可扩展、便于功率和频率升级等特点的放大器，利用新的宽带隙技术以一半的尺寸提供更高的功率，从而满足商用EMC市场不断增长的需求。Pat Moore表示，MILMEGA也在考虑，通过开关切换方式在原有放大器产品中，实现模块化架构上的不同模块灵活搭配。