IBM阵营high-k技术发生变化
来源:EE Times 作者:—— 时间:2011-01-20 09:13
IBM联盟的high-k技术正在发生转变。
在32nm和28nm采用先栅high-k工艺(gate first)之后,IBM及其伙伴公司,包括AMD、Globalfoundries、Samsung等,将在20nm转向竞争对手所采用的后栅工艺(gate last),此前IBM联盟坚持认为gate-first是更好的方案。
IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton表示,对于20nm来说,gate last是更好的方案,可以在密度和尺寸缩小上带来一定优势。
换句话说,IBM及其伙伴已经承认此前高调推广的gate first技术只用了一个节点。Intel、TSMC和UMC是gate last技术的倡导者,Intel已在45nm节点导入了high k工艺,台积电预计将在28nm节点导入。
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