四月DRAM价格攀升 厂商产能转往Flash及DDR3

四月DRAM价格攀升 厂商产能转往Flash及DDR3

根据DRAMeXchange调查，四月上旬DDR3合约价再度呈现价格上扬的趋势，DDR3 2GB均价自17美元上涨至18美元(2Gb $2.03)，涨幅约5.88%，DDR3 4GB均价亦上涨至35美元(2Gb $2.03)，涨幅约在6.1%，从市场面来观察，由于日本东北大地震影响下，DRAM厂掀起硅晶圆抢料作战，硅晶圆厂也释出手上库存来满足产业需求，加上DRAM厂普遍都有一个月以上的库存量来看，目前维持正常投片的能见度可至第二季末，但长期来看，如果硅晶圆大厂如信越化学及SUMCO不能在近期恢复正常运作，DRAM供应炼受到冲击势必在未来将陆续浮现，加上近期传出部份DRAM厂在40nm制程良率出现问题，供货不顺下更加深PC-OEM厂对于DRAM厂未来是否能供货稳定度增添疑虑，部份PC-OEM厂决定拉高库存水位，需求转趋积极下，跟DRAM厂议定合约价时亦接受较高的价格，也是让四月上旬合约价攀升的主要原因。

震后DRAM产业加速转往Flash、DDR3

日本东北大地震过后近一个月，原物料短缺问题陆续浮出台面，半导体产业尤其以信越化学及SUMCO的东北工厂迟未复工影响最大，全球硅晶圆产能顿失20-25%，面对原物料可能短缺，DRAM厂势必暂缓低毛利及低制程产品生产，转向高附加价格产品及加速制程转进速度来降低未来原物料可能短缺的冲击。

根据集邦科技的调查，韩系厂商如三星及海力士由于同时有DRAM及Flash两大产品生产，如三星计划将部份DRAM产能转向NAND Flash产品，显见NAND Flash产品后市比DRAM产品更为看好，如果面对硅晶圆短缺，将满足Flash产品为优先，而日系厂尔必达也已暂缓广岛厂中标准型DRAM生产，厂内仅保留附加价值高的行动式内存生产及部份代工业务，并将标准型DRAM生产全数转交子公司瑞晶及代工厂力晶，瑞晶方面也将加速38nm及下半年32nm制程转进，即使面对投片的不确定性，亦能保持产出量不变，力晶方面也将拉高45nm制程投片与毛利较高的代工业务比例，确保获利能力不受地震影响，而南科与华亚科，算是震灾中上下游供应炼较为无虞的厂商，但产品结构的改变上仍按照原订计划进行，南科在下半年将有行动式内存正式量产，华亚科亦希望可以在下半年加重移动内存及服务器用内存的比例，而茂德方面已经在评估DDR3 2Gb生产的可能性，也希望让震灾后的冲击减至最小，华邦自去年已将产品重整并转向生产毛利较高的产品，只要硅晶圆供应无虞下，今年应可维持不错的表现。