银雨研发取得突破 大功率LED光效达100lm/W

银雨研发取得突破 大功率LED光效达100lm/W

广东银雨半导体的最新晶片研发项目获得了重大突破，该项目通过从外延、芯片到封装的一系列工艺制程的改进与优化，使大功率LED的光效达到了100lm/W，该项芯片研发突破了三项技术难点问题，获得了9项晶片专利授权。目前，10*23mil蓝光芯片已成功销往韩国高端照明应用市场。

  广东银雨芯片半导体有限公司作为标杆的光电企业，根据自身的资源与优势，希望透过从上游磊晶制程及中游晶粒成型制程的掌控；扩充公司现有在LED封装成型的产量；一直到结合现有在LED相关产品的研发及生产能力，达到一条龙式的经营模式，形成一个完整的供应链。对上游关键元件的充分掌握，充分体现英语半导体从关键元件到产品垂直的目标，以降低产品价格而提高产品的竞争力，服务社会大众。

  银雨半导体晶片项目的创新突破点：

  1、衬底图形化设计和N-AlGaN/GaN超晶格电流扩散刻蚀阻挡层设计提高功率LED的内量子效率；

  2、利用外延片的倒装焊工艺与蓝光芯片发光面光学微结构设计相结合技术，来提升LED的发光效率；　　
　3、利用发光芯片与厚金属(100um以上)贴合制程技术，搭配激光剥离技术制备单电极芯片，提高芯片良率和发光效率；

　4、利用具有梯度折射率的封装材料由高向低涂覆在芯片上，来提高芯片封装的出光效率。

  5、采用共晶焊技术降低封装热阻，提高功率LED可靠性。

  6、与周边大学共同培养LED专业人才以满足半导体照明行业的快速发展。
 

　突破的三项关键技术难点：

   1、图形衬底研究和N-AlGaN/GaNSuperlattice超晶格电流扩散刻蚀阻挡层的实现；

   2、蓝光芯片发光面光学微结构设计和激光剥离技术制备单电极芯片；

   3、适用于照明要求的散热封装设计及封装中的高效光学设计。

   技术方向：

   1、量产高压晶片光效可达120lm/w，

   2、大功率芯片光效110lm/w，

   3、大电流驱动，降低应用芯片数量，降低成本。