新型面向汽车通孔应用的高性能功率半导体封装

新型面向汽车通孔应用的高性能功率半导体封装

       能效十分重要。事实上，能效是很多新型汽车功率电子系统设计的主要考核指标之一。浪费的每瓦电力都可以换算为本应留在油箱中的一滴汽油，或者是从排气管中额外排放的一克二氧化碳。如今，油耗和碳排放都面临着日益提高的税收。汽车半导体供应商如何帮助客户实现更高的能效？在大学毕业设计中，我选择了8mΩ 30V Dpak来驱动一个H桥——这在当时被认为是一种“尖端”器件，但如今这样一种器件却十分平常。这种进步在很大程度上应归功于半导体技术的巨大进步，但封装技术发展如何呢？

       应当牢记的是，半导体封装是将一系列元件组合在电路中，电流必须不受限制地流过封装，热量必须导入冷却系统。因此，系统的鲁棒性取决于整个链条中最薄弱的环节。如果一只典型MOSFET的导通电阻RDS（ON）约为8毫欧，那么比这个数值高出大约1毫欧的封装电阻是可以接受的。但是，当芯片的电阻低于封装电阻时，显然须要改善封装。表面贴装器件封装已经较好地解决了这个问题：典型 D2Pak封装的导通电阻仅比芯片高出0.5毫欧左右，而诸如DirectFET等封装技术对导通电阻的贡献值仅为150微欧。但通孔封装的导通电阻是多少？这是一个迄今为止人们较少关注的问题，也是一个创新不足的领域。

       汽车应用普遍采用的封装技术之一是TO-262，即D2Pak的长引线变体。大功率器件经常选择这一封装技术。在这些应用中，为了取得良好的冷却效果，功率组件被放置在一个单独的基片上，从该基片可以更轻松地导出热量。具有讽刺意味的是，虽然被广泛用于大功率系统，但就封装电阻而言，TO-262的性能不尽如人意。主要的局限并非在于引线键合，而在于引线本身。通常，仅源极引线和漏极引线的总电阻就高达1微欧左右！

       现在，我们考虑数据表上描述的导通电阻为2毫欧的40V TO-262 MOSFET。数据表上的导通电阻值是MOSFET芯片和封装的电阻之和，但不包含引线本身的电阻。所以，在系统中使用全长引线这一最差情况下，引线从头至尾的总电阻事实上可达3毫欧。在实际应用中，这会产生几种结果，其中之一是，较高的引线电阻导致引线自热，进而“加热”MOSFET的其他组件，结果增加了冷却成本。较高的封装电阻还会导致较高的传导损耗和较低的能效。

       为此，业界对标准TO-262进行了一个简单的改善，从而产生了WideLead TO-262（见图2）。

       比较图1和图2就会发现，WideLead TO-262的引线宽度被显著加大。结果，与标准TO-262封装相比，引线的电阻被降低了大约50%。业界还借此机会改善了这一封装的内部技术，结果，即使在不考虑引线电阻降低的情况下，WideLead TO-262的导通电阻也比TO-262低20%之多。更低的引线电阻，加上该封装内部技术的改善，将采用WideLead TO-262封装的器件的最大额定电流提高至240A，远远高于市场上现有的领先TO-262封装的195A。WideLead TO-262的外形与“身材”和传统TO-262一样，因此，从TO-262转换至WideLead封装时，不用大幅改变机械设计。

　　图1：传统TO-262封装