Diodes封装MOSFET有助于实现低温操作

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2011-12-31 16:27

       Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130oC/W,能在持续状态下支持高达1W的功率耗散,相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280oC/W的SOT723封装,能实现更低温度运行。

       这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样,印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2,并具备0.5mm的狭小离板高度,但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的信号以及负载开关应用,用于包括数码相机、平板电脑和智能手机在内的高便携式消费电子产品。

       Diodes公司首次推出的这对MOSFET,额定电压为20V,包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道组件。在VGS为1.8V的情况下,该N通道MOSFET的典型导通电阻为400mΩ,比最受欢迎的同类型SOT723封装MOSFET大约低50%,有助于大幅减少传导损耗和功率耗散。

       Diodes之后还会推出采用DFN1212-3封装、额定电压为30V与60V的组件和一系列双极型器件。

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