Bridgelux宣布首款硅衬底LED光效达到135lm/W

【高工LED讯】美国LED芯片大厂Bridgelux公司曾在今年3月展示硅衬底氮化镓1.5mm直径功率LED 在4730K色温、350mA电流强度下达到135lm/W。日前，Bridgelux宣布刷新该光效记录，并表示此款商业级硅衬底LED可在很低的工作电压下正常运转。

Bridgelux称其硅衬底LED已与最先进的蓝宝石衬底LED达到同等水平。冷白色荧光灯的光视效率已达160lm/W，相关色温4350K，而暖白色荧光灯的光视效率已达125lm/W，相关色温2940K，显色指数为80。

据Bridgelux介绍，1.5mm密封蓝色LED驱动电流在350mA、正向电压在2.85V下可发出591mW光能，达到了59%插座效率，可适应在高电流密度环境下的应用。在驱动电流为1A，正向电压为3.21V时，此款LED可发出1.52W的蓝色光能，使其达到47%的插座效率。而主波长为455纳米的8英寸LED芯片经证实具有很好的波长一致性。

常规LED使用蓝宝石或者碳化硅衬底材料，价格相对过高，而在硅衬底上附着GaN材料配合大容量的半导体材料，生产商可以减少约75%的成本。但GaN的热膨胀系数大于硅的热膨胀系数将会导致在室温或附着外延层时外延层有可能断裂或者晶片也有可能弯折。而Bridgelux表示其缓冲层专利技术将有效的解决这一隐患并使芯片在室温下保持平直。目前，此项专利已在8英寸硅衬底的实验中得到充分证实。

Bridgelux表示，其首款可商购的GaN-on-Si产品将于两年内上市销售，并将努力使硅衬底尽早在工业生产中彻底取代蓝宝石衬底。

据悉，Bridgelux一直维持着轻资产的经营模式，目标是通过其在LED外延层方面的知识产权优势和现有各大半导体生产商进行合作。Bridgelux预测和现有半导体生产商合作会降低成本、带来可观的效益并使资金自然回流。