英特尔明年中回击ARM阵营

英特尔明年中回击ARM阵营

       处理器大厂英特尔宣布采用新一代3D晶体管Tri-Gate架构的22纳米制程，已可以生产智能型手机及平板计算机使用的系统单芯片（SoC），预计明年中旬开始以该制程量产Atom处理器，并希望藉此回攻由ARM阵营芯片供应商高通（Qualcomm）、辉达（NVIDIA）等所掌控的行动装置核心应用处理器市场。

       智能型手机及平板计算机的销售畅旺，但内建芯片有逾9成是采用ARM架构的应用处理器，英特尔虽然推出Atom处理器应战，但目前仅有摩托罗拉、联想等少数手机厂采用，一直无法有效拓展市场占有率。

       由于英特尔Atom处理器的功耗过高问题，是手机厂不想采用其芯片的主要原因，所以英特尔利用制程微缩来大幅降低功耗，昨日在旧金山举行的国际电子组件会议（IEDM）中，宣布新一代22纳米制程已可用来生产行动装置SoC芯片，亦即英特尔将于明年推出、代号为Silvermont的Atom处理器。

       以制程技术来看，高通Snapdragon已经走到28纳米世代，辉达Tegra 3虽然仍采用40纳米投片，但明年初将推出的Tegra 4也将微缩到28纳米，德仪OMAP 5也是同样采用28纳米制程。而英特尔目前量产中的智能型手机用Atom处理器，仍使用32纳米制程生产。

       英特尔22纳米制程是目前全球唯一采用3D晶体管架构的制程技术，现在用来生产Ivy Bridge处理器，由于技术已经十分成熟，所以将在明年中旬左右开始用来生产新一代Atom处理器。据了解，采用22纳米制程的Atom芯片效能将较现在32纳米制程提高20~65％，功耗也能大幅降低到足以与ARM应用处理器相抗衡。

       对于ARM阵营来说，高通、辉达等业者明年仍将以28纳米为主要制程，台积电几乎通吃所有代工订单，但以晶圆代工厂的制程技术蓝图来看，要真正采用3D晶体管的鳍式场效晶体管（FinFET）架构，也要等到16/14纳米制程，亦即2014年之后才可能导入量产。

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